2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時(shí)間表公布

2月5日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星計(jì)劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個(gè)巨型半導(dǎo)體工廠，將進(jìn)行2nm制造。

據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵性突破，它能夠?yàn)樾酒峁└叩男阅芎透偷墓摹?/p>

作為三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電在去年研討會(huì)上就披露了2nm芯片的早期細(xì)節(jié)，臺(tái)積電的2nm芯片將采用N2平臺(tái)，引入GAAFET納米片晶體管架構(gòu)和背部供電技術(shù)。

臺(tái)積電推出的采用納米片晶體管架構(gòu)的2nm制程技術(shù)，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。

業(yè)內(nèi)人士指出，三星、臺(tái)積電均具備2025年量產(chǎn)2nm工藝的實(shí)力，但是在良率以及客戶認(rèn)可度方面會(huì)有所差別。

舉例來說，此前高通驍龍8 Gen1采用的是三星4nm工藝，因功耗問題高通換成了臺(tái)積電4nm，從驍龍8+ Gen1開始，高通驍龍8系全面擁抱臺(tái)積電。

如果三星芯片良率提升，功耗不翻車的話，高通未來的驍龍8系列處理器有可能再次交由三星代工。

在這場(chǎng)2nm之戰(zhàn)中，無論是臺(tái)積電還是三星，都很難成為絕對(duì)的贏家，畢竟一枝獨(dú)秀不是春，百花齊放春滿園。