廣東：大力推動刻蝕機等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代

據(jù)廣東省人民政府官方消息，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案(2024—2030年)》。

其中提到，力爭到2030年取得10項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè)10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產(chǎn)業(yè)集群，建設(shè)成為具有全球影響力的光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃支持光芯片技術(shù)攻關(guān)。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設(shè)備等方向的研發(fā)投入力度，著力解決產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的“卡點”“堵點”問題。

推進光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實工業(yè)設(shè)備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級。