臺(tái)積電反擊Intel：不要用老數(shù)據(jù)侮辱我

　　Intel如何在移動(dòng)處理器市場(chǎng)立足?他們最大的籌碼還是自己的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，更先進(jìn)的工藝可以帶來(lái)更強(qiáng)的性能、更低的功耗。Intel此前表示，他們的制程工藝領(lǐng)先對(duì)手三年半，雖然沒(méi)有指名道姓，但是誰(shuí)都知道說(shuō)的就是臺(tái)積電。如今臺(tái)積電也要反擊了，指責(zé)Intel之前所用的臺(tái)積電工藝數(shù)據(jù)圖是過(guò)時(shí)的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電的工藝并不比Intel差多少。

　　在日前的一次會(huì)議上，臺(tái)積電創(chuàng)始人兼董事長(zhǎng)張忠謀表示，通常他們不會(huì)評(píng)論其他公司的技術(shù)，但是Intel之前的宣傳有誤，因此他不得不讓臺(tái)積電副總MarkLiu作出解釋。

　　如圖所示，橫坐標(biāo)是工藝節(jié)點(diǎn)，靠前的數(shù)字如32nm、22nm、14nmFF是Intel的制程工藝，而28、20、16FF是臺(tái)積電的制程工藝?？v坐標(biāo)是邏輯電路的核心面積，其中藍(lán)色曲線(xiàn)是Intel制程工藝與面積的走勢(shì)圖，灰色的是Intel之前PPT上的臺(tái)積電的走勢(shì)，但是臺(tái)積電指出，Intel引用的資料是錯(cuò)誤的，已經(jīng)過(guò)時(shí)了，紅色曲線(xiàn)才是臺(tái)積電真正的走勢(shì)圖，Intel的資料夸大了二者之間的差距。

　　按照規(guī)劃，臺(tái)積電今年會(huì)量產(chǎn)20nm工藝，但是20nm不會(huì)持續(xù)很久，一年后的2015年臺(tái)積電就會(huì)上馬16nmFinFET工藝，因?yàn)?6nm與20nm工藝是后端兼容的，而FinFET鰭式晶體管(Intel的說(shuō)法是3D晶體管)可以大幅改善電路性能，核心面積也能縮小15%。MarkLiu表示他們的16nm工藝是晶體管密度最大的制程工藝。

　　臺(tái)積電也不得不承認(rèn)的是在16nmFF工藝之前，Intel確實(shí)有工藝優(yōu)勢(shì)，不過(guò)差距在縮小，16nmFF工藝只落后Intel一點(diǎn)，而到了10nm節(jié)點(diǎn)臺(tái)積電會(huì)啟用第三代FinFET工藝，該技術(shù)能帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的性能與晶體管密度。