常見LED芯片的特點(diǎn)分析

　　定義：Metal Bonding （金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品。

　　特點(diǎn)：

　　1：采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底、散熱容易。

　　2：通過金屬層來接合（wafer bonding）磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。

　　3: 導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力（導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍），更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。

　　4: 底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱

　　5: 尺寸可加大、應(yīng)用于High power 領(lǐng)域、eg : 42mil MB

　　二、GB芯片

　　定義：Glue Bonding （粘著結(jié)合）芯片；該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品

　　特點(diǎn)：

　　1：透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統(tǒng)AS （Absorbable structure）芯片的2倍以上、藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。

　　2：芯片四面發(fā)光、具有出色的Pattern

　　3：亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(zhǔn)（8.6mil）

　　4：雙電極結(jié)構(gòu)、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片

　　三、TS芯片

　　定義：transparent structure（透明襯底）芯片、該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。

　　特點(diǎn)：

　　1：芯片工藝制作復(fù)雜、遠(yuǎn)高于AS led

　　2：信賴性卓越

　　3：透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高

　　4：應(yīng)用廣泛

　　四、AS芯片

　　定義：Absorbable structure （吸收襯底）芯片；

　　經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力、臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水準(zhǔn)、差距不大。

　　大陸芯片制造業(yè)起步較晚、其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

　　特點(diǎn)：

　　1：四元芯片、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮

　　2：信賴性優(yōu)良

　　3：應(yīng)用廣泛