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覆晶技術(shù)成熟 三星導(dǎo)入Flash LED應(yīng)用

作者: 時間:2014-02-26 來源:LED制造 收藏

  覆晶(Flip-Chip)技術(shù)逐步純熟,2014年覆晶產(chǎn)品導(dǎo)入各項(xiàng)應(yīng)用的比重將明顯提升,業(yè)者積極將覆晶技術(shù)導(dǎo)入Flash應(yīng)用,順勢擴(kuò)大Flash產(chǎn)品版圖,宣布推出采覆晶技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)封裝規(guī)格2016的Flash。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/233827.htm

  FlashLED需要具備高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動等特質(zhì),覆晶具有發(fā)光角度大、封裝體積小、高光效的優(yōu)勢,適合用于面積有限,可以瞬間通過大電流的FlashLED產(chǎn)品中。

  過去的FlashLED產(chǎn)品多采用4039與4139封裝規(guī)格,以供應(yīng)旗下品牌手機(jī)為大宗。隨著品牌手機(jī)大廠紛紛導(dǎo)入雙FlashLED設(shè)計(jì),帶動需求的拉升,也在2014年宣布推出標(biāo)準(zhǔn)封裝規(guī)格2016的FlashLED產(chǎn)品,值得關(guān)注的是,三星的2016FlashLED產(chǎn)品采用覆晶技術(shù)。

  根據(jù)三星的說法,全新的標(biāo)準(zhǔn)型2016FlashLED將導(dǎo)入覆晶技術(shù),并且同步采用三星獨(dú)有的cell-film螢光粉技術(shù),也就是在每個單一封裝元件上貼覆螢光粉薄膜,而這顆2016產(chǎn)品的光輸出達(dá)220lm,并能有效的改善色偏達(dá)40%,同時提供比過去傳統(tǒng)FlashLED更好的光品質(zhì)。



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