中微發(fā)布業(yè)界首創(chuàng)介質(zhì)刻蝕及除膠一體機(jī)

　　中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”)今日發(fā)布 Primo iDEA(TM) (“雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)”)-- 這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個(gè)平臺(tái)上。Primo iDEA(TM) 主要針對(duì)2X納米及更先進(jìn)的刻蝕工藝，運(yùn)用中微已被業(yè)界認(rèn)可的 D-RIE 刻蝕技術(shù)和 Primo 平臺(tái)，避免了因等離子體直接接觸芯片引發(fā)的器件損傷(PID)，提高了工藝的靈活性，減少了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率并使占用生產(chǎn)空間更優(yōu)化。

　　中微介質(zhì)刻蝕及除膠一體機(jī)Primo iDEA (TM)

　　“Primo iDEA?目前已有多臺(tái)進(jìn)入先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線，并已證明在避免等離子體接觸器件帶來(lái)的損害上表現(xiàn)優(yōu)異，同時(shí)又減少了所需機(jī)臺(tái)的數(shù)量。”中微副總裁兼CCP刻蝕產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理麥?zhǔn)肆x說(shuō)，“采用 Primo iDEA(TM) 之后，客戶(hù)能夠節(jié)省20%的生產(chǎn)成本，并獲得更高的生產(chǎn)效率。對(duì)于某一特定的后端制程來(lái)說(shuō)，客戶(hù)過(guò)去需要5道工序在多種機(jī)臺(tái)上完成，現(xiàn)在只需3道工序在一臺(tái)設(shè)備上完成，總體上節(jié)省了50%的工藝加工時(shí)間。”

　　中微于2004年領(lǐng)先開(kāi)發(fā)了具有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的等離子體刻蝕技術(shù)。該技術(shù)具有甚高頻等離子體源和低頻偏置等離子體源，能夠獨(dú)立控制離子密度和能量，并確保芯片加工高重復(fù)性。結(jié)合中微具有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的離子控制技術(shù)，它們能夠共同提高芯片加工的穩(wěn)定性，并進(jìn)一步擴(kuò)大工藝窗口。Primo iDEA(TM) 使用的除膠配套系統(tǒng)采用了性?xún)r(jià)比較高的雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和非接觸等離子體源。頂置的等離子體源所產(chǎn)生的活性反應(yīng)物質(zhì)，能均勻地傳送到晶圓表面移除光刻膠，這一過(guò)程中等離子體并不會(huì)直接接觸晶圓表面，這就減少了器件損傷(PID)的風(fēng)險(xiǎn)。