臺積電超低耗電技術讓穿戴產品電池延長10倍

　　臺積電今(29)日宣布領先積體電路制造服務領域，推出業(yè)界最完備的超低耗電技術平臺，針對需要廣泛技術支援且又快速成長的物聯網及穿戴式裝置市場提供必要技術，以滿足市場多樣化產品應用的需求。臺積電表示，透過此技術平臺提供多項制程技術，來大幅提升功耗優(yōu)勢以支援物聯網及穿戴式產品，同時也提供完備的設計生態(tài)環(huán)境，加速客戶產品上市時間。

　　臺積電表示，超低耗電制程組合除涵蓋目前的0.18微米極低漏電制程(0.18eLL)、90奈米超低漏電制程(90uLL)及16奈米FinFET制程，更擴展至全新的55奈米超低耗電制程(55ULP)、40奈米超低耗電制程(40ULP)及28奈米超低耗電制程(28ULP)以支援運算速度高達1.2GHz之應用。此項涵蓋0.18微米到16奈米FinFET的超低耗電制程組合適用于各種具節(jié)能效益的智慧型物聯網及穿戴式產品。

　　其中，0.18微米至40奈米的超低耗電制程亦具備射頻及嵌入式快閃記憶體功能，能進行系統級整合以有效縮小尺寸外觀，并藉由無線傳輸技術串連物聯網產品。而相較前一代的低耗電制程，超低耗電制程能夠進一步降低操作電壓達20到30%，以減少動態(tài)與靜態(tài)功耗，同時大幅延長物聯網及穿戴式產品輕薄短小電池的使用壽命達2至10倍。

　　臺積電總經理暨共同執(zhí)行長劉德音博士表示，超低耗電及無所不在的連結功能是物聯網能否成功的關鍵，這次領先業(yè)界成功推出完備的技術平臺，有效滿足多樣化物聯網市場的需求與創(chuàng)新。公司針對此新興市場所提供的廣泛技術組合，展現了技術領導地位以及帶給客戶最大價值的承諾，并協助客戶打造具競爭性的產品，成功贏得設計合作案。

　　此外，臺積電強調，客戶利用“開放創(chuàng)新平臺”所提供的既有矽智財設計生態(tài)環(huán)境，是公司超低耗電技術平臺額外提供的一個重要價值。當晶片設計人員進行新的超低耗電制程設計時，能夠輕易再使用公司低耗電制程的矽智財與元件資料庫，以提高首次設計即生產成功的機率，并達到產品迅速上市的目標。

　　臺積電預計2014年與客戶在55奈米超低耗電制程、40奈米超低耗電制程及28奈米超低耗電制程初步達成數項設計合作案，并在2015年進入試產。