臺(tái)積市值3.63兆 再創(chuàng)新高

　　瑞銀證券昨(27)日將臺(tái)積電合理股價(jià)預(yù)估值大幅調(diào)升至160元，并看好今年每股獲利可望賺進(jìn)1個(gè)股本，推升收盤、市值分別以140元、3.63兆元，再創(chuàng)波段、歷史新高，更帶動(dòng)臺(tái)股反彈42點(diǎn)收9,165點(diǎn)波段新高。

　　臺(tái)積電股價(jià)表現(xiàn)亮眼，聯(lián)發(fā)科昨股價(jià)也反彈1.75%至465元，進(jìn)入外資圈所設(shè)定的450至500元盤整區(qū)間。美系外資交易室主管指出，時(shí)序進(jìn)入12月，聯(lián)發(fā)科仍會(huì)醞釀一波軋空行情。

　　瑞銀證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陳慧明指出，整體而言，受到折舊費(fèi)用增加，及28奈米PolySiON與14/16奈米FinFET+潛在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)等因素影響，明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)獲利成長(zhǎng)率將縮小至15%，而整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收/資本支出比也會(huì)繼續(xù)維持在50%以上。

　　陳慧明對(duì)明年整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)看法只能算是“中性”，“大者恒大”情況會(huì)更為明顯，除了將臺(tái)積電合理股價(jià)由146元大幅調(diào)升至160元(未來(lái)1年P(guān)/B值3.8倍與2015年本益比15倍)之外，也將中芯投資評(píng)等與合理股價(jià)分別調(diào)降至“賣出”與0.72港元，至于聯(lián)電、世界先進(jìn)投資評(píng)等仍維持“中立”，合理股價(jià)方面，聯(lián)電調(diào)升至13.7元，世界先進(jìn)則仍為48元。

　　陳慧明預(yù)估臺(tái)積電今年每股獲利上看10元，除了看好16奈米FinFET+制程可望快速獲利，及10奈米FinFET制程進(jìn)度順利外，明年預(yù)估每股將配發(fā)的現(xiàn)金股利也由3.5元調(diào)升至4元;此外，明年折舊費(fèi)用成長(zhǎng)率預(yù)估也將由過去3年的30%至35%降到15%。

　　至于聯(lián)發(fā)科，美銀美林證券亞太區(qū)科技產(chǎn)業(yè)研究部主管何浩銘(Dan Heyler)指出，與其關(guān)注4G晶片進(jìn)度，不如鎖定因產(chǎn)品組合優(yōu)化所推升的毛利率，預(yù)期毛利率表現(xiàn)將會(huì)驚艷外資圈，帶動(dòng)明年每股獲利上看40.11元，合理股價(jià)預(yù)估值上看604.03元。何浩銘指出，過去3個(gè)月中國(guó)智慧型手機(jī)市場(chǎng)呈現(xiàn)3項(xiàng)趨勢(shì)：一、主流智慧型手機(jī)使用者持續(xù)升級(jí)裝置，并愿意付費(fèi)享受較佳的效能;二、在效能不斷進(jìn)步的本土品牌業(yè)者，逐漸從國(guó)際品牌業(yè)者手中搶下市占率;三、行動(dòng)處理器供應(yīng)商間競(jìng)爭(zhēng)仍有限。