瑞薩科技宣布開發(fā)出superSRAM

下面總結(jié)了這種技術(shù)和產(chǎn)品的主要性能。

(1)很高的軟錯(cuò)誤容錯(cuò)性
與瑞薩科技先前的0.13 μm工藝16M位小功率SRAM（沒有ECC電路*3）相比，軟錯(cuò)誤率大約減小了4個(gè)數(shù)位，這是通過在每個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)*5上使用DRAM單元中使用的那種圓柱電容器*4來實(shí)現(xiàn)的。α射線輻射實(shí)驗(yàn)證實(shí)，這種產(chǎn)品首次實(shí)現(xiàn)了SRAM中沒有由軟錯(cuò)誤引起的位錯(cuò)誤。

軟錯(cuò)誤容錯(cuò)率問題這一常規(guī) SRAM存在的基本問題，已經(jīng)得到解決，可以實(shí)現(xiàn)更高可靠性、更高密度的SRAM。

(2)在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中，它具有最小的存儲(chǔ)器元件尺寸。
通過將使用TFT*6的SRAM單元與DRAM電容器組合起來，開發(fā)出的新型單元，在業(yè)界0.15 μm工藝SRAM產(chǎn)品中，具有最小的存儲(chǔ)器元件尺寸：0.98 μm2。其單元尺寸，比瑞薩科技目前的基于CMOS 0.15 μm工藝的SRAM小一半多。它可以大大減小芯片尺寸、使移動(dòng)設(shè)備更小巧。

另外，數(shù)據(jù)保持電流可以達(dá)到小于1 μA。與使用DRAM存儲(chǔ)單元的贗SRAM不同，新型SRAM單元不需要刷新操作。與贗SRAM相比，數(shù)據(jù)保持電流大約提高了2位數(shù)，用于更低功耗的移動(dòng)應(yīng)用。

(3)可以使用現(xiàn)有的0.15 μm工藝制造。
不需要使用特殊的工藝，就可以實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的元件面積?？梢允褂矛F(xiàn)有的工藝技術(shù)制造，從而可以盡快地將產(chǎn)品投放市場