南韓加速研發(fā)新興存儲(chǔ)器與材料，穩(wěn)固龍頭地位　

　　南韓為穩(wěn)固全球記憶體龍頭地位，在產(chǎn)業(yè)通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導(dǎo)下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業(yè)為投資要角的產(chǎn)官學(xué)新合作研發(fā)模式，亦將次世代非揮發(fā)性記憶體與新興材料、技術(shù)列為研發(fā)重點(diǎn)。

　　2013~2017年南韓將引進(jìn)由政府與企業(yè)共同提供資金給學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)研發(fā)的新合作模式，研發(fā)成果的智財(cái)權(quán)將由學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業(yè)運(yùn)用的可能性。

　　觀(guān)察2013~2017年南韓列為研發(fā)重點(diǎn)的5項(xiàng)記憶體相關(guān)技術(shù)，包括相變化記憶體(Phase-change Random Access Memory;PRAM)等新興非揮發(fā)性記憶體，及有助提升記憶體運(yùn)算效能的銅/石墨烯積層構(gòu)造技術(shù)、三五族通道材料、穿隧式場(chǎng)效電晶體(Tunnel Field Effect Transistor;TFET)、光學(xué)內(nèi)部連結(jié)等技術(shù)。

　　透過(guò)研發(fā)新興記憶體相關(guān)材料與技術(shù)，南韓計(jì)劃開(kāi)發(fā)高附加價(jià)值型記憶體核心技術(shù)，除朝穿戴式裝置擴(kuò)大應(yīng)用范圍外，更將提升容量與增添功能，并降低功耗以符合行動(dòng)應(yīng)用低功耗需求。

　　為平衡三星與南韓封測(cè)、IC設(shè)計(jì)公司等中小型企業(yè)間的差距，在南韓政府主導(dǎo)下，如三星等大企業(yè)于半導(dǎo)體領(lǐng)域有閑置廠(chǎng)房、設(shè)備或智財(cái)權(quán)，將可移轉(zhuǎn)給南韓中小企業(yè)使用，此將有利促成南韓大型企業(yè)與中小型企業(yè)共同成長(zhǎng)。

　　由于南韓自2012年起已推動(dòng)將奈米碳管等技術(shù)應(yīng)用于后(Post)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)型次世代半導(dǎo)體的奈米相關(guān)計(jì)畫(huà)，為避免資源浪費(fèi)，南韓已著手協(xié)調(diào)奈米相關(guān)計(jì)畫(huà)與半導(dǎo)體計(jì)畫(huà)的負(fù)責(zé)單位協(xié)議組成新團(tuán)體，以促使成果相互連結(jié)。

　　DIGITIMES Research觀(guān)察，南韓為穩(wěn)固全球記憶體龍頭地位，不僅將重點(diǎn)放在研發(fā)新技術(shù)上，亦將透過(guò)研發(fā)成果及大企業(yè)閑置資產(chǎn)可由南韓中小型企業(yè)運(yùn)用的方式，促成大型與中小型企業(yè)平衡發(fā)展，以避免資源過(guò)度集中的情形。

　　南韓次世代記憶體材料研發(fā)計(jì)畫(huà)預(yù)計(jì)投入金額及重點(diǎn)項(xiàng)目

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　　資料來(lái)源：南韓產(chǎn)業(yè)通商資源部，DIGITIMES整理，2014/12