崛起的中國(guó)芯 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體2014熱點(diǎn)回顧之【華為海思】

　　“空芯之憂” 中國(guó)芯大將英年早逝

　　麒麟920的成功為中國(guó)芯注入一股強(qiáng)大動(dòng)力，但其幕后功臣之一海思無線芯片開發(fā)部部長(zhǎng)王勁的離世卻令人無不扼腕嘆息。

　　2014年7月，華為旗下海思公司證實(shí)，海思無線芯片開發(fā)部部長(zhǎng)王勁突發(fā)昏迷，不幸于2014年7月26日凌晨離世，享年42歲。海思公告稱，王勁1996年加盟華為，是無線早期的業(yè)務(wù)骨干，在無線產(chǎn)品線從普通工程師、PL，到BTS30產(chǎn)品經(jīng)理、上研副所長(zhǎng)，為無線產(chǎn)品的奮斗多年帶領(lǐng)海思Balong及Kirin團(tuán)隊(duì)從低谷走向成功。

　　消息一經(jīng)傳出引發(fā)了業(yè)內(nèi)的關(guān)注。華為終端CEO余承東在微博上表示，曾經(jīng)為基站產(chǎn)品做出突出貢獻(xiàn)，海思終端麒麟芯片能有今天的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力，他(王勁)功不可沒。

　　事實(shí)上，過去不管是海思還是麒麟，一直不為外界所熟知，但在業(yè)內(nèi)卻是中國(guó)芯片的領(lǐng)軍產(chǎn)品。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)披露的“2012年中國(guó)十大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)”中，海思以74.2億元的銷售額位列第一。

　　“除了華為、展訊等少數(shù)廠家，目前國(guó)內(nèi)芯片幾乎沒有和高通競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。”電子行業(yè)咨詢公司iSuppli首席分析師顧文軍此前表示，目前國(guó)內(nèi)共有600多家芯片設(shè)計(jì)公司，年?duì)I收達(dá)到或接近10億美元的僅有海思、展訊通信兩家，它們?cè)谝苿?dòng)處理器、基帶芯片等領(lǐng)域已經(jīng)具備較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。而其他企業(yè)，“向上突破有很大難度”，其中主要原因在于企業(yè)在WCDMA和LTE領(lǐng)域幾乎沒有專利和技術(shù)積累。

　　雖有政策利好，但“空芯之憂”其實(shí)一直困擾著集成電路產(chǎn)業(yè)上的大小公司。

　　以手機(jī)芯片為例，由于國(guó)產(chǎn)TD-LTE芯片技術(shù)成熟度與國(guó)際品牌有較大差距，目前高通幾乎壟斷了國(guó)內(nèi)LTE手機(jī)芯片中的八成訂單。業(yè)內(nèi)曾有這么一個(gè)段子，說蘋果一“饑渴”，其他手機(jī)品牌就要挨餓，說的是由于高端芯片供應(yīng)有限，在芯片廠商選擇客戶時(shí)，國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠商只能排在等待的隊(duì)伍中。

　　并且，由于受制于歐洲的GSM標(biāo)準(zhǔn)和美國(guó)的CDMA標(biāo)準(zhǔn)，付出的專利費(fèi)數(shù)以百億計(jì)。

　　手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)王艷輝對(duì)記者表示，海思等國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片廠商通過近年來的努力，有效提升了自身的競(jìng)爭(zhēng)力。在4G時(shí)代，雖然國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片產(chǎn)業(yè)仍然落后于國(guó)外，但在一些產(chǎn)品和技術(shù)方面，與國(guó)外的差距已經(jīng)大大縮小。

　　“要取得核心競(jìng)爭(zhēng)力，靠什么，必須要在高技術(shù)領(lǐng)域有所作為。”飛項(xiàng)網(wǎng)CEO項(xiàng)立剛表示，芯片關(guān)系著國(guó)家戰(zhàn)略、關(guān)系著經(jīng)濟(jì)發(fā)展、關(guān)系著國(guó)家安全，這些都是王勁這樣的科學(xué)家在默默努力，這樣的人才是中國(guó)的脊梁。

　　產(chǎn)出16nm網(wǎng)絡(luò)處理器 效能增快3倍

　　2014年9月，海思半導(dǎo)體與臺(tái)積電合作，成功產(chǎn)出了世界上第一顆基于16nm FinFET制造工藝、ARM架構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)處理器，功能完備。

　　臺(tái)積電表示，16nm FinFET工藝能夠顯著改進(jìn)芯片性能、功耗，并降低漏電率，柵極密度是臺(tái)積電28nm HPM工藝的兩倍，同等功耗下速度可以加快超過40%，同頻率下功耗則可以降低超過60%。

　　臺(tái)積電同時(shí)透露，他們對(duì)FinFET立體晶體管的研究已經(jīng)超過10年，這是第一次投入實(shí)用。

　　在完成了所有可靠性驗(yàn)證后，臺(tái)積電16nm FinFET工藝于2013年11月份進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試生產(chǎn)，初期良品率就非常喜人，隨即便開始為客戶提供流片、試產(chǎn)、出樣工作。

　　國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商海思的出境著實(shí)意外。據(jù)透露，海思的這顆網(wǎng)絡(luò)處理器基于ARM Cortex-A57 64位架構(gòu)，主頻可達(dá)2.6GHz，比上代性能提升了3倍，而且支持虛擬化、軟件定義網(wǎng)絡(luò)(SDN)、網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化(NFV)，功耗優(yōu)化也取得了新的飛躍，可用于高端網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域。

　　它利用臺(tái)積電的異構(gòu)CoWoS 3D IC封裝工藝，在一個(gè)28nm I/O芯片上集成了16nm邏輯芯片，大大降低了成本。——這說明新處理器還不是完整的16nm產(chǎn)物，而是一個(gè)混合試驗(yàn)品。