PC衰退沖擊存儲器供應(yīng)商業(yè)績

　　PC產(chǎn)業(yè)衰退以及市場對DRAM的需求趨緩，讓海力士(SK Hynix)的 2015年第二季業(yè)績受到影響，當季凈營收為9.6億美元，低于分析師預(yù)期;而在海力士最新財報公布之前不久，美光(Micron)也才公布了其第三季財報，并降低了第四季的財報預(yù)測。

　　在此同時，市場研究機構(gòu)Gartner將對 2015年整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營收成長率的預(yù)測砍半，來到2.2%;其理由是包括PC在內(nèi)的電子裝置市場疲軟不振。而蘋果(Apple)最新財報則顯示，其最新一季iPad銷售量低于去年同期。

　　Gartner的最新預(yù)測指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額將因為PC與智慧型手機需求衰弱，而呈現(xiàn)為期兩年的低潮，得等到2017至2019年才能恢復(fù)典型的4~5%年成長率(參考閱讀。

　　隨著PC用DRAM市場低迷，SK Hynix表示該公司將更專注于高性能記憶體，擴充行動裝置應(yīng)用的DDR4、LPDDR4與NAND快閃記憶體，以及固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)能，此外還有10奈米TLC (triple level cell)架構(gòu)NAND快閃記憶體，以及第二代的3D記憶體產(chǎn)品。

　　市場研究機構(gòu)Technavio 最近一篇報告預(yù)測，全球行動記憶體市場預(yù)期在 2015年至2019年之間，可取得15%的復(fù)合平均年成長率(CAGR);該機構(gòu)表示，與2D NAND相較，行動記憶體由于儲存容量增加，預(yù)期在市場上會獲得更多采用。

　　Technavio將SK Hynix視為行動NAND快閃記憶體的關(guān)鍵供應(yīng)商，其他供應(yīng)商還有金士頓(Kingston)、三星(Samsung)、SanDisk、東芝(Toshiba)與美光。SK Hynix已經(jīng)開發(fā)了高頻寬記憶體(high bandwidth memory，HBM)，以解決DDR4 SDRAM以及某種程度上DDR5的頻寬限制;該技術(shù)涉及四層DRAM與邏輯晶片，以矽穿孔(TSV)與微凸塊制作晶片互連。

　　SK Hynix的高頻寬記憶體堆疊四層晶片

　　對于獲利減少，美光也歸因于PC的衰退，而且如同SK Hynix，該公司對行動記憶體與NAND快閃記憶體前景樂觀。而雖然DRAM市場萎縮對SK Hynix以及美光都產(chǎn)生負面影響，SRAM市場的衰退卻未對Cypress Semiconductor的營收帶來沖擊。

　　Cypress最近雖然求購Integrated Silicon Solution失敗，該公司的 2015年第二季業(yè)績表現(xiàn)亮眼，而且當季是其合并Spansion業(yè)績的完整一季;Cypress第二季營收為4.91億美元，該公司表示當季毛利率達到41%高標，與預(yù)期相符。

　　在第二季，Cypress擴充了Spansion設(shè)計的NOR HyperFlash系列產(chǎn)品，新增256Mb記憶體，以及新推出一款3-V HyperFlash元件，支援高頻寬、低腳數(shù)的HyperBus介面。

　　此外Cypress還發(fā)表了4Mb串列式鐵電記憶體(FRAM)，鎖定經(jīng)常連續(xù)高速讀寫資料以及對高資料安全性有需求的應(yīng)用，包括醫(yī)療、工業(yè)與汽車等領(lǐng)域。Cypress也推出訴求高密度的同步SRAM，配備晶片上糾錯碼(Error-Correcting Code，ECC)，并將繼續(xù)擴充該系列產(chǎn)品。