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Intel想滅了三星/海力士?

—— Intel想滅了三星/海力士?傳力推嵌入式DRAM
作者: 時(shí)間:2015-09-02 來(lái)源: 精實(shí)新聞 收藏
編者按:由于對(duì)DRAM過(guò)于依賴,近年來(lái)英特爾半導(dǎo)體龍頭地位搖搖欲墜,現(xiàn)在英特爾似乎下決心要扳倒后進(jìn):打算力推嵌入式DRAM (eDRAM),三星、海力士表示亞歷山大。

  韓媒BusinessKorea 1日?qǐng)?bào)導(dǎo),當(dāng)前市場(chǎng)由三星和SK海力士稱霸,據(jù)傳英特爾想削弱對(duì)手,第六代Skylake CPU配備e,提高圖形運(yùn)算效能。e和DRAM不同之處在于,eDRAM內(nèi)建在CPU die內(nèi),DRAM則和CPU各自獨(dú)立。業(yè)界分析師稱,英特爾先前的Haswell和Broadwell晶片已內(nèi)建eDRAM,原本是實(shí)驗(yàn)性質(zhì),如今已成為核心策略。日本和美國(guó)的半導(dǎo)體雜志也說(shuō),中長(zhǎng)期而言,英特爾或許會(huì)整合CPU和DRAM,發(fā)展eDRAM。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/279582.htm

  報(bào)導(dǎo)稱,英特爾作法仿效蘋(píng)果,蘋(píng)果A系列處理器效能極為穩(wěn)定,數(shù)據(jù)和圖形處理速度都快過(guò)Android機(jī)種。A系列晶片DRAM小于Android機(jī),卻因采用高效能SRAM和CPU有突出表現(xiàn)。和SRAM相比,eDRAM的優(yōu)勢(shì)在生產(chǎn)成本較低,容量較大。與此同時(shí),英特爾的3D XPoint技術(shù)也可能重創(chuàng)DRAM,美國(guó)業(yè)者獨(dú)霸個(gè)人電腦和伺服器 CPU,可能會(huì)借此推展新技術(shù),如果3D XPoint用于伺服器、電腦、行動(dòng)裝置,未來(lái)可能成為業(yè)界主流,逼走DRAM。

  BusinessKorea 8月7日?qǐng)?bào)導(dǎo),英特爾、美光7月29日宣布開(kāi)發(fā)出新世代記憶體技術(shù)「3D Xpoint」,儲(chǔ)存的資料比DRAM高出十倍,讀寫(xiě)速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多,如此革新的技術(shù)讓三星電子、SK海力士大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技,能完全改變資料儲(chǔ)存的方式,半導(dǎo)體專家相信,自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之后,3D XPoint會(huì)是這30年間一個(gè)相當(dāng)重要的變革。

  外資也似乎不看好三星和SK海力士前景。韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),8月31日為止,外資連續(xù)第18天賣(mài)超韓股。外資賣(mài)盤(pán)集中在三星電子和SK海力士。8月5日到上周五為止,外資賣(mài)超了7,513億韓圜(6.35億美元)的三星持股。SK海力士是外資第二拋售對(duì)象,賣(mài)超額達(dá)5,498億韓圜。

  韓聯(lián)社日文版8月18日?qǐng)?bào)導(dǎo),根據(jù)TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange公布的報(bào)告指出,三星電子、SK海力士(SK Hynix )等韓廠早就在行動(dòng)DRAM市場(chǎng)上握有絕對(duì)優(yōu)勢(shì),不過(guò)非韓陣營(yíng)潰敗情勢(shì)似乎尚未停歇,上季(2015年4-6月)韓廠市占率再度飆上新高、市占率首度沖破8成關(guān)卡。



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