Intel想滅了三星/海力士？

　　韓媒BusinessKorea 1日報導(dǎo)，當(dāng)前DRAM市場由三星和SK海力士稱霸，據(jù)傳英特爾想削弱對手，第六代Skylake CPU配備eDRAM，提高圖形運算效能。eDRAM和DRAM不同之處在于，eDRAM內(nèi)建在CPU die內(nèi)，DRAM則和CPU各自獨立。業(yè)界分析師稱，英特爾先前的Haswell和Broadwell晶片已內(nèi)建eDRAM，原本是實驗性質(zhì)，如今已成為核心策略。日本和美國的半導(dǎo)體雜志也說，中長期而言，英特爾或許會整合CPU和DRAM，發(fā)展eDRAM。

　　報導(dǎo)稱，英特爾作法仿效蘋果，蘋果A系列處理器效能極為穩(wěn)定，數(shù)據(jù)和圖形處理速度都快過Android機種。A系列晶片DRAM小于Android機，卻因采用高效能SRAM和CPU有突出表現(xiàn)。和SRAM相比，eDRAM的優(yōu)勢在生產(chǎn)成本較低，容量較大。與此同時，英特爾的3D XPoint技術(shù)也可能重創(chuàng)DRAM，美國業(yè)者獨霸個人電腦和伺服器 CPU，可能會借此推展新技術(shù)，如果3D XPoint用于伺服器、電腦、行動裝置，未來可能成為業(yè)界主流，逼走DRAM。

　　BusinessKorea 8月7日報導(dǎo)，英特爾、美光7月29日宣布開發(fā)出新世代記憶體技術(shù)「3D Xpoint」，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術(shù)讓三星電子、SK海力士大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式，半導(dǎo)體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之后，3D XPoint會是這30年間一個相當(dāng)重要的變革。

　　外資也似乎不看好三星和SK海力士前景。韓聯(lián)社報導(dǎo)，8月31日為止，外資連續(xù)第18天賣超韓股。外資賣盤集中在三星電子和SK海力士。8月5日到上周五為止，外資賣超了7,513億韓圜(6.35億美元)的三星持股。SK海力士是外資第二拋售對象，賣超額達(dá)5,498億韓圜。

　　韓聯(lián)社日文版8月18日報導(dǎo)，根據(jù)TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange公布的報告指出，三星電子、SK海力士(SK Hynix )等韓廠早就在行動DRAM市場上握有絕對優(yōu)勢，不過非韓陣營潰敗情勢似乎尚未停歇，上季(2015年4-6月)韓廠市占率再度飆上新高、市占率首度沖破8成關(guān)卡。