NS推出首款保證在不同溫度下仍能保證準確測量的射頻功率檢波器

　　美國國家半導體公司宣布推出業(yè)界首款保證在不同溫度下仍能保證準確測量的射頻功率檢波器，確保第三代 (3G) 移動電話可以靈活控制射頻功率。美國國家半導體的 LMV221 射頻功率檢波器可以準確控制射頻發(fā)射功率，確保發(fā)射功率可在廣闊的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定，而且在廣闊的動態(tài)范圍內(nèi)也準確無誤。這款芯片適用于不同的頻帶，覆蓋范圍介于 50MHz 與 3.5GHz 之間，動態(tài)范圍則達 40dB，而且在攝氏 -40 度至 85 度的溫度范圍內(nèi)仍然穩(wěn)定可靠，其準確度更高達 +/-0.5dB。這款芯片可以實時調(diào)節(jié)發(fā)射功率，不但有助精簡系統(tǒng)的校準電路，而且還容許系統(tǒng)采用準確度要求不太嚴格的功率放大器及可變增益放大器。LMV221 芯片可以支持目前已采用以及將來制訂的蜂窩式移動電話標準，其中包括 GSM、CDMA、UMTS 及 TD-SCDMA。LMV221 芯片適用于 2.7V 至3.3V 的供電電壓，而且只需采用一個電源供應，其特點是輸出電壓與射頻輸入功率 (以 dBm 為單位) 成正比，使系統(tǒng)設計工程師無需添加校準元件，而且系統(tǒng)也可采用分辨度較低的模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器。LMV221 芯片可以輸出 0.  
3V 至 2V 的電壓，這個輸出電壓可以進一步調(diào)低，以配合模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器的輸入電壓范圍。

　　LMV221 芯片的射頻功率檢波范圍介于 -45dBm 與 -5dBm 之間，令這款芯片可直接與 30dB 的定向耦合器搭配一起使用。此外，這款芯片在停止操作之后會一直停留在低功耗的停機模式，直至對芯片引腳發(fā)出通電指示為止，以便將功耗降至最低。

　　美國國家半導體早于 2005 年 7 月便已推出一系列射頻對數(shù)放大及均方檢波器，這款新的 LMV221 芯片是這系列產(chǎn)品的最新型號。LMV225、LMV226 及 LMV228 射頻功率檢波器各有不同的頻帶范圍，合共可覆蓋 450MHz 至 2GHz 的頻帶范圍。美國國家半導體的 LMV232 射頻檢波器則設有 2 個射頻輸入，可以支持多個 20dB 的定向耦合器。

　　LMV22x 系列射頻功率檢波器可為美國國家半導體的 LM320x 直流/直流轉(zhuǎn)換器如 LM3208 提供射頻功率數(shù)據(jù)。LM3208 轉(zhuǎn)換器可以靈活控制 WCDMA 及 CDMA 射頻功率放大器的供電電壓，以便提高系統(tǒng)的整體效率。將直流/直流轉(zhuǎn)換器與功率檢波器搭配一起的好處是可為某一特定的射頻發(fā)射功率實時提供所需的輸出電壓，這樣可以確保在整個發(fā)射功率范圍內(nèi) -- 尤其是使用較低的發(fā)射功率時 --系統(tǒng)效率有大幅度的提升。對于便攜式射頻系統(tǒng)來說，這個設計可以進一步延長系統(tǒng)的電池壽命。

　　美國國家半導體的放大器系列

　　美國國家半導體一直專注于研發(fā)高性能的放大器及比較器，目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器，其中包含基本的芯片以及專用標準產(chǎn)品 (ASSP)，以滿足市場上對高精度、高速、低電壓及低功率放大器的需求。公司多年來一直致力于開發(fā)創(chuàng)新的放大器，這方面的技術更一直領先同業(yè)，加上也擁有先進的 VIP10 雙極及 VIP50 BiCMOS 工藝技術，這幾方面的優(yōu)勢令美國國家半導體將可繼續(xù)在放大器市場上保持其領導地位。此外，美國國家半導體率先推出 Silicon Dust™ 及 micro SMD 這兩種嶄新的封裝技術，為封裝技術的市場領導者。如欲進一步查詢有關美國國家半導體放大器產(chǎn)品的資料，可瀏覽 amplifiers.national.com/CHS  網(wǎng)頁。