DRAM芯片市場(chǎng)行情優(yōu)于NAND閃存

　　我國(guó)臺(tái)灣DRAM芯片制造業(yè)界傳出消息稱，到六月份月末，DRAM芯片價(jià)格將跌至谷底，并將很快迎來季節(jié)性反彈。預(yù)計(jì)在近期，DRAM芯片的出貨量將全面超出NAND flash芯片。

　　自六月份開始，隨著PC OEM廠商紛紛開始季節(jié)性規(guī)模存貨，DRAM芯片價(jià)格急劇下滑的勢(shì)頭有所緩解。我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的DRAM芯片廠商、包括韓國(guó)的Hynix半導(dǎo)體公司等，它們的DRAM芯片庫存壓力將得到相對(duì)釋緩。對(duì)于全球整個(gè)DRAM芯片制造業(yè)界來說，DRAM芯片將隨著季節(jié)性需求的反彈而出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)。

　　隨著DRAM芯片價(jià)格的小幅漲動(dòng)，eTT DRAM內(nèi)存的價(jià)格應(yīng)該在1.5美元左右，此前，該芯片的價(jià)格曾一度跌至1.3美元。隨著夏季——傳統(tǒng)需求旺季的到來，預(yù)計(jì)eTT DRAM芯片的價(jià)格會(huì)反彈到2-2.3美元左右。

　　在DRAM芯片上浮同時(shí)，預(yù)計(jì)NAND flash芯片的價(jià)格反彈尚需時(shí)日，估計(jì)將推遲至九月份。在整個(gè)存儲(chǔ)芯片業(yè)界，DRAM芯片和NAND flash芯片市場(chǎng)行情在夏季同時(shí)出現(xiàn)上漲情況實(shí)屬罕見。估計(jì)在從九月份開始后的一個(gè)月時(shí)間內(nèi)，有望出現(xiàn)DRAM芯片和NAND flash芯片需求雙雙上漲局面。