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Freescale擴(kuò)展MRAM的產(chǎn)品系列

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作者: 時間:2007-06-21 來源:EEPW 收藏

  嵌入式半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)域的Freescale半導(dǎo)體成功推出3伏4Mbit擴(kuò)展溫度范圍(-40至+105C)非易失性RAM (nvRAM) 產(chǎn)品,從而擴(kuò)展了公司獲獎的磁電阻式隨機(jī) (MRAM)系列產(chǎn)品。該設(shè)備可用于惡劣的應(yīng)用環(huán)境,如工業(yè)、軍事、航空和汽車設(shè)計等。

  Freescale還通過推出一種1Mbit器件擴(kuò)展了它的商用MRAM 產(chǎn)品系列。該器件可為系統(tǒng)設(shè)計師提供一種密度選擇,并專注于主流嵌入式產(chǎn)品市場上的“sweet spot”。此外,F(xiàn)reescale還計劃進(jìn)一步擴(kuò)展其MRAM產(chǎn)品系列,在2007年第三季度增加總共九種商用和工業(yè)用擴(kuò)展溫度產(chǎn)品。

  MRAM采用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路來在單個壽命幾乎沒有限制的器件中提供SRAM的高速度和閃存的非易失性 。MRAM設(shè)備可以用于高速緩存緩沖器、配置存儲內(nèi)存和其他要求高速度、耐用性和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。飛思卡爾的最新擴(kuò)展溫度范圍選項(xiàng)使MRAM可用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。在這類應(yīng)用中,半導(dǎo)體產(chǎn)品必須能夠忍受惡劣的工作環(huán)境和極端溫度范圍。

  MRAM在高密度 nvRAM市場上提供業(yè)界領(lǐng)先的高性價比產(chǎn)品。飛

 
思卡爾的MRAM設(shè)備結(jié)合了非易失性存儲和RAM的優(yōu)點(diǎn),可以在新型智能電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)“隨開即用(instant-on)”功能和電源損耗防護(hù)。此外,MRAM設(shè)備可以在廣泛的溫度范圍以SRAM速度運(yùn)行而不需要電池備份 。

  2006年宣布推出的飛思卡爾MR2A16A 4Mbit 產(chǎn)品是全球第一款商用MRAM設(shè)備,曾獲得Electronic Products雜志頒發(fā)的2006年度最佳產(chǎn)品獎、電子工程專輯的2007年度最佳存儲產(chǎn)品獎、LSI of the Year的年度杰出產(chǎn)品獎和In-Stat/Microprocessor Report 的2007年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎。此外,飛思卡爾的MRAM設(shè)備還入圍EDN的“2006年度創(chuàng)新獎”和EE Times的“2006年度ACE獎”決賽。

  關(guān)于1Mb MR0A16A

  MR0A16A是一種1Mbit的商用溫度范圍(0 – 70oC)3.3伏異步,可存儲64K個單詞(16位),讀寫周期為35 納秒。該設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SRAM針腳允許在相同的空間內(nèi)將內(nèi)存從1Mb擴(kuò)展到4Mb。該設(shè)備采用符合RoHS 要求的400-mil TSOP II型封裝,適合各種商業(yè)應(yīng)用,如聯(lián)網(wǎng)、安全、數(shù)據(jù)存儲、游戲和打印機(jī)。

  關(guān)于4Mb MR2A16AV

  MR2A16AV是一種4Mbit擴(kuò)展溫度范圍(-40 – 105oC)3.3伏異步,可存儲256K個單詞(16位),讀寫周期為35 納秒。它的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SRAM針腳使它可以兼容SRAM 和其他 nvRAM產(chǎn)品。該設(shè)備采用符合RoHS要求的400-mil TSOP II型封裝中,為工業(yè)自動化、運(yùn)輸、軍事和航空應(yīng)用中的嚴(yán)苛環(huán)境提供了一種強(qiáng)大的NVM解決方案。

  若欲了解有關(guān)飛思卡爾MRAM產(chǎn)品和技術(shù)的更多信息,請?jiān)L問:twww.freescale.com/files/pr/mram.html。



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