IR推出新型DirectFET MOSFET芯片組

使336W轉換器效率提升至97%
面積較四分之一磚小29％

　　世界功率管理技術領袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發(fā)布的IR2086S全橋總線轉換器集成電路，使直流總線轉換器達到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線轉換器解決方案，在比四分之一磚轉換器還要小29%的電路板面積上，實現(xiàn)效率高達97%的336W功率。

　　全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉換器總線轉換器的固定48V及36V到60V輸入橋式電路拓撲、同步降壓非隔離式DC-DC電路拓撲、針對移動通信的18V到36V輸入正激及推挽式轉換器，以及調(diào)節(jié)式輸出隔離式DC-DC應用中的次級同步整流。

　　業(yè)界標準的300W四分之一磚設計往往包含多達10個MOSFET（4個初級和6個次級）、1個脈寬調(diào)制（PWM）集成電路及2個半橋驅(qū)動器集成電路。IR的新芯片組方案則只有6個MOSFET（4個初級和2個次級）及1個單獨的集成電路，節(jié)省功率半導體零件數(shù)達46%。

　　此外，以這種芯片組制成的隔離式總線轉換器DC-DC能有效節(jié)省多達29%的占板空間，更可提升工作效率1.5個百分點。

　　IRF6646 80V MOSFET的最大導通電阻為9.5mΩ ，較相同面積的同類器件改善了37%，成為業(yè)界之最，并可針對初級橋式電路拓撲進行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大導通電阻為1.8mΩ ，是特別為次級同步整流優(yōu)化的。該器件可在相同面積下實現(xiàn)最低的導通電阻，超過同類器件22%。

　　這組MOSFET可與最新面世的IR2086S全橋直流總線轉換器集成電路和現(xiàn)有的IRF6608 30V DirectFET MOSFET結合起來用作次級柵鉗位。

　　IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富指出，最新的IRF6646和IRF6635可實現(xiàn)更高的效率，工作時的外殼溫度比SO-8器件約低40