2010決勝年　ASML 主攻38納米、EUV設備

　　全球最大半導體微顯影設備業(yè)者ASML表示，目前客戶訂單增加相當多，但主是來自半導體業(yè)者制程微縮而非產能擴充的需求，半導體業(yè)者仍持續(xù)微縮半導體制程，摩爾定律預料將持續(xù)延續(xù)。以目前ASML最先進的浸潤式微顯影機種來看，新一代的機種NXT 1950i 也已于2009年下半出貨，未來將快速增加出貨，同時深紫外光(EUV)也至少囊括5套客戶訂單，對ASML來說2010年將是極重要的一年。

　　ASML NXT技術平臺資深經(jīng)理Frank van de Mast指出，XT1900Hi的下一代機種NXT 1950i目前可因應38納米制程技術，但在疊影技術上可以做到更為精密的程度達2納米，而且產出速度更快，1小時產出可達175~200片晶圓。外界預測，采用ASML NXT 1950i最精密的浸潤式顯影機種多半的客戶訂單應該來自存儲器晶圓廠。

　　此外，在頗受業(yè)界矚目的深紫外光(EUV)方面，ASML所采用的Cymer光源已可以從20瓦提高到75瓦，達到1小時生產60片晶圓不成問題，預計可在2010年達到此目標，并計劃在2014年達到每小時180片晶圓的高生產率。

　　EUV 微顯影系統(tǒng)副總Ron Kool指出，EUV平臺NXE 3100預期2010年可以做到27納米，ASML對于EUV有相當完整、積極的技術藍圖規(guī)畫，預期在NXE 3100之后相繼推出NXE3300B等后續(xù)機種持續(xù)提高生產力，最快預計將在2012年第1季問世，足以因應22~16納米以下制程所需。

　　ASML 目前至少已經(jīng)確保從6家客戶端獲得來自5套EUV系統(tǒng)訂單，包括三星電子(Samsung Electronics)及超微(AMD)晶圓生產部門都采用EUV開發(fā)新產品，且ASML與三星的技術藍圖幾乎緊密相關。

　　ASML 研發(fā)副總Jos Benschop亦表示，盡管目前業(yè)界在雙重曝光顯影之后也有提出三重曝光(triple patterning)技術，技術上是可行的，不過他認為更重要的是經(jīng)濟規(guī)模能否降低成本，以目前深紫外光所能達到的技術突破，在成本上已經(jīng)可以因應量產，使三重曝光顯影技術更有競爭力。