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2月2日消息 據(jù)國外媒體報道，全球第二大儲存芯片制造商韓國現(xiàn)代半導體周五公布去年四季度財務報告稱，由于芯片價格下降，公司在超過四年的時間里首次出現(xiàn)虧損。 現(xiàn)代半導體表示，在12月31日結(jié)束的第四季度，公司虧損了4......
???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲器模塊是一個可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個線性地址空......
農(nóng)歷新年過后，現(xiàn)貨市場DDR2 512Mb eTT和DDR2 1Gb eTT在2007年2月13日與2月15日再次跌破1美元及2美元的關卡。根據(jù)了解，最新DRAM價格就呈現(xiàn)下滑的走勢，DDR2 512Mb eTT現(xiàn)貨價從......
2007年DRAM價跌，不僅使許多存儲器業(yè)者出現(xiàn)營運赤字，連德國半導體業(yè)者英飛凌(Infineon)CEOWolfgangZiebart也恐將面臨下臺命運。根據(jù)路透(Reuters)引述南德日報報導，英飛凌董事會不具......
一、前言 信息技術的發(fā)展對光存儲系統(tǒng)容量和數(shù)據(jù)傳輸率提出了越來越高的要求。傳統(tǒng)光存儲受到光學衍射極限的限制，采用縮短激光波長和增大數(shù)值孔徑的方法來提高存儲密度的空間非常有限。多階光存儲技術能夠在不改變光學數(shù)值孔......
?據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報道，2007年DRAM價跌，不僅使許多存儲器業(yè)者出現(xiàn)營運赤字，連德國半導體業(yè)者英飛凌（Infineon）CEOWolfgangZiebart也恐將面臨下臺命運。根據(jù)路透（Reuters）引述南......
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR......
2月25日消息,閃存價格的下降已經(jīng)傷害了一些半導體廠商的股票價格。但是，今天的痛苦可能會為明天的增長鋪平道路。 NAND閃存芯片廣泛應用于便攜式媒體播放機、數(shù)碼相機、硬盤和其它設備中。由于供過于求，2007年N......
相比傳統(tǒng)的硅技術，基于并五苯等有機半導體材料的存儲器和薄膜晶體管更適于在大面積柔性基板上創(chuàng)建低成本電子器件。這些新的有機器件可以利用價廉的溶液處理工藝和淀積工藝來制造，而不再需要傳統(tǒng)半導體行業(yè)所采用的光刻工藝。投資1......
l TMS320C5402片外存儲空間的優(yōu)化設計 C5402的存儲空間可達192 k×16 b。64 k程序空間，64 k數(shù)據(jù)空間，64 k 1/O空間。C5402片內(nèi)具有4 k×1 6 b的ROM和16 k×......
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