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據(jù)內(nèi)存產(chǎn)品廠商勁永公司的負(fù)責(zé)人稱，生產(chǎn)工廠的供電事故使得它只能滿足主要客戶在8月份后半月NAND閃存芯片需求的85%。 據(jù)國外媒體報(bào)道，勁永的總經(jīng)理呂美月（Jance LU）表示，盡管勁永的供應(yīng)沒有......
根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場報(bào)告指出，上周DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)受到三星停電事件影響而短暫走高，但后續(xù)追價(jià)力道不強(qiáng)，使得部份庫存較多的分銷商反手殺出手中的庫存。集邦表示，DDR2 eT......
受高階記憶體晶片和小型電子設(shè)備用微處理器的需求提振,全球晶片廠產(chǎn)能利用率在4-6月呈現(xiàn)連續(xù)第二季上揚(yáng)。 國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(SICAS)周四表示,全球晶片廠4-6月產(chǎn)能利用率升至89.7%,前季則為87.5......
近期內(nèi)存芯片(DRAM)現(xiàn)貨市場交投的疲弱已經(jīng)導(dǎo)致部分行內(nèi)企業(yè)開始向市場傾倒庫存，這種形勢更開始向內(nèi)存模塊生產(chǎn)商蔓延。 有市場觀察家發(fā)現(xiàn)，在過去幾個(gè)星期里，內(nèi)存芯片的交易量急劇下降。這段時(shí)間里，不但市場需求疲弱，還傳......
摘要：SST89C54/58j Silicon Storage Technology公司推出的帶有20KB/36KB Flash的單片機(jī)。芯片內(nèi)部集成了可以對Flash進(jìn)行操作的功能模塊。通過對Flash的分區(qū)實(shí)現(xiàn)在......
海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個(gè)晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元......
從國外媒體處獲悉：當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片價(jià)格大幅上漲，包括韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的主要亞洲芯片生產(chǎn)商股價(jià)均呈現(xiàn)不同程度的上漲。 根據(jù)DRAMeXchange公布的數(shù)據(jù)顯示，本周三512MB......
業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價(jià)格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semicondu......
根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價(jià)格受韓國三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足，預(yù)估8月下旬價(jià)格將持平或......
最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲技術(shù)一定感覺到既有近憂，又有遠(yuǎn)慮，因?yàn)樾滦痛鎯夹g(shù)PRAM(相變存儲器)、MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)及FRAM(鐵電儲存器)表現(xiàn)活......
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