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海力士與ST的合資晶圓制造廠終于落戶無錫，這座占地800余畝的新廠位于無錫新區(qū)，主要制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片。這個晶圓廠的一期工程總投資為20億美元，成為迄今為止我國單體投資最大的半導體項目，同時它也是無錫市......
1 引言 閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點，廣泛應用于通訊設備、辦公設備、家用電器、醫(yī)療設備等領域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有......
1 引言 FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存......
全球最大的半導體公司之一意法半導體公司（紐約證券交易所：STM)和另一家大型半導體廠商海力士半導體（Bloomberg:000660KS）今天為在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國地......
在經(jīng)過半年的降價之后，全球NAND閃存市場最近出現(xiàn)了復蘇的一些跡象。 據(jù)悉，NAND閃存芯片的合同價格最近開始反彈。根據(jù)內(nèi)存閃存市場機構DRAMeXchan......
美國半導體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務上投入35億美金的巨資，以擴充生產(chǎn)NAND閃存的設備之用。 產(chǎn)業(yè)分析師認為，美光之所......
奇夢達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存......
iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個月來最低水準，因開學季帶動個人電腦銷售增長?！?nbsp; 這家美國研究......
韓國現(xiàn)代半導體公司（Hynix Semiconductor）公布，受惠于電腦存儲芯片價格堅挺及應用于數(shù)字播放器和數(shù)......
摘要： 本文對邀請賽選用的主控芯片MC9S12DG128單片機的一些外圍接口模塊作了介紹，包括功能上的描述和例程及初始化的過程，對一些參賽隊伍中遇到的Flash鎖死問題也提供......
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