mosfet 文章進(jìn)入 mosfet技術(shù)社區(qū)

利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制,

傳統(tǒng)上，開關(guān)電源（SMPS）是用一個(gè)基本的模擬控制環(huán)路來實(shí)現(xiàn)的，但數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數(shù)字...
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智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件

英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實(shí)現(xiàn)能效目標(biāo) 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導(dǎo)通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機(jī)的電源產(chǎn)
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單芯片大電流同步降壓方案助力簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

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MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費(fèi)下載！

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簡(jiǎn)易鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)

由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達(dá)4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機(jī)、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護(hù)IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。然而，目前無論是正向（獨(dú)立開發(fā)）還是反向（模仿開發(fā)）設(shè)計(jì)的國(guó)產(chǎn)鋰電池保護(hù)IC由于技術(shù)、工藝的原因，實(shí)際參數(shù)通常都與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)有較大差別，在正向設(shè)計(jì)的IC中尤為突出，因此，測(cè)試鋰電池保護(hù)IC的實(shí)
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TOPSwitch-GX開關(guān)電源在牙科X光機(jī)中的應(yīng)用

1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內(nèi)置MOSFET的高效DC／DC變換器．采用小型16引腳HISSOP封裝．連續(xù)輸出電流為3 A時(shí)，輸入電壓范圍為4．5 V~20 V。該變換器極大地簡(jiǎn)化了負(fù)載電源管理的設(shè)計(jì)，使得設(shè)計(jì)人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術(shù)的開關(guān))DC／DC變換器的效率高達(dá)90％以上，非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
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Vishay提供免費(fèi)在線MOSFET熱模擬工具

Vishay推出一款網(wǎng)上工具，可供設(shè)計(jì)人員詳細(xì)模擬在各種應(yīng)用中Vishay Siliconix MOSFET 在運(yùn)行時(shí)的熱效應(yīng)情況及其受鄰近元件的影響如何。 Vishay 新推出的 ThermaSim™（可從 http://www.vishay.
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ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機(jī)會(huì)。商用照明應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長(zhǎng)的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
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降低高性能CPU電源中的元件成本

新處理器對(duì)電源的要求越來越高，快速的負(fù)載階躍響應(yīng)、嚴(yán)格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此，選用合適的控制器至關(guān)重要。同樣的控制器，不同的電感和電容首先來看現(xiàn)有的控制器。對(duì)于臺(tái)式計(jì)算機(jī)和一些較大的筆記本電腦來說，具有最小紋波電流的四相控制器為負(fù)載階躍提供最快速的響應(yīng)。但是，必須有足夠高的開關(guān)頻率以所需的轉(zhuǎn)換速率來響應(yīng)負(fù)載瞬變，還需要MOSFET來保證低的導(dǎo)通電阻RDSON并且使高頻開關(guān)損耗最小。如果需要提高開關(guān)頻率，那么需要增加控制器反饋環(huán)路的帶寬以提供足夠快的響應(yīng)，可是大
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瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）”

瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
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Intersil推出新型雙同步降壓穩(wěn)壓器

Intersil的雙同步降壓穩(wěn)壓器具有集成式MOSFET和高效用戶可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個(gè)邏輯可編程或電阻可調(diào)輸出電壓，并提高了每個(gè)輸出（2個(gè)輸出的總輸出電流為6A）的用戶可編程負(fù)載電流的靈活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩(wěn)壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝，并為2條同步降壓穩(wěn)壓器通道集成了保護(hù)功能，使其成為為當(dāng)今的小型應(yīng)用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進(jìn)行轉(zhuǎn)
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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
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飛兆半導(dǎo)體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET

為汽車電子設(shè)計(jì)提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢(shì) 飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種面向電機(jī)控制應(yīng)用的新型30/40V器件飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和線路板空間而設(shè)計(jì)，其應(yīng)用包括動(dòng)力轉(zhuǎn)向、集成啟動(dòng)器/交流發(fā)電機(jī)，
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇

同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)?？刂破魃a(chǎn)商會(huì)在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。對(duì)功率MOSFET的要求同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動(dòng)MOSFET的控制器及外接開關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因?yàn)樗鼈兡軡M足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。圖
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