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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
- 在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會(huì)議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺和設(shè)
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
意法半導(dǎo)體面臨兩難之選：拆分or策略調(diào)整
- 很難想象業(yè)界芯片巨擘意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正迫切地需要一項(xiàng)全新的成長策略吧?而這家歐洲半導(dǎo)體巨擘目前所面對的兩難甚至還牽涉到在公司內(nèi)外都有影響舉足輕重的的一些人。 一般來說，公司高層主管和業(yè)界分析人士認(rèn)為，這家總部位于瑞士的半導(dǎo)體公司必須為其未來長遠(yuǎn)發(fā)展導(dǎo)向全新方向。但究竟應(yīng)該拋棄沉重的負(fù)擔(dān)與非核心產(chǎn)品?還是維持現(xiàn)狀而只需微幅調(diào)整策略，逐漸在占主導(dǎo)的產(chǎn)品領(lǐng)域建立強(qiáng)大的市場地位?在決定ST是否應(yīng)該大幅重組業(yè)務(wù)與產(chǎn)品組合時(shí)，高層管理團(tuán)隊(duì)之間卻出現(xiàn)了意見分歧。 該公司
- 關(guān)鍵字： ST 芯片 IC
意法半導(dǎo)體(ST)公布新戰(zhàn)略計(jì)劃
- · 新愿景和新戰(zhàn)略;專注于五大成長型市場 · 決定在過渡期后退出ST-Ericsson · 新財(cái)務(wù)模型目標(biāo)為營業(yè)利潤率10%或更高 中國，2012年12月11日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)公布新公司戰(zhàn)略計(jì)劃。由于無線市場情勢發(fā)生重大變化，意法半導(dǎo)體于一年多前開始審視公司戰(zhàn)略，于12月10日做出新戰(zhàn)略決定。
- 關(guān)鍵字： ST 微控制器 半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體(ST)與商埃曲網(wǎng)絡(luò)(3H)合作
- 中國，2012年11月28日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及數(shù)字電視機(jī)頂盒芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼STM)與商埃曲網(wǎng)絡(luò)(3H)聯(lián)合宣布，雙方將共同打造全媒體數(shù)字電視解決方案，包括面向中國廣電運(yùn)營商的下一代高清互動(dòng)全媒體業(yè)務(wù)在三網(wǎng)融合上的實(shí)現(xiàn)方案。 隨著中國三網(wǎng)融合的加速推進(jìn)，IPTV、OTT、PushVOD等高清全媒體技術(shù)成為各電視運(yùn)營商下一步贏利的關(guān)鍵。全國范圍內(nèi)三網(wǎng)融合服
- 關(guān)鍵字： ST 半導(dǎo)體
ST推出先進(jìn)調(diào)諧芯片提升4G網(wǎng)速和電池續(xù)航能力
- 中國，2012年11月8日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及市場領(lǐng)先的手機(jī)用半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列高度微型化自適應(yīng)器件。新產(chǎn)品可動(dòng)態(tài)優(yōu)化手機(jī)天線性能，有助于避免電話掉線，并延長電池續(xù)航時(shí)間。 意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品 ParaScan 集成調(diào)諧電容(STPTIC)通過調(diào)整電容值，使手機(jī)功率放大器與天線之間在各種工作條件下高效傳輸電能。STPTIC有助于最大限度
- 關(guān)鍵字： ST 4G 芯片
MEMS前5大廠排名 ST將坐二望一
- 2011年全球微機(jī)電(Micro Electro Mechanical System;MEMS)前4大廠依序?yàn)榈轮輧x器(Texas Instruments)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、惠普(Hewlett Packard;HP)、博世(Robert Bosch)，除惠普為系統(tǒng)業(yè)者外，其他3家廠商均為整合元件廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)。 2011年德州儀器MEMS事業(yè)營收較2010年成長51.2%，為9.1億美元，其現(xiàn)為數(shù)位
- 關(guān)鍵字： ST MEMS 元件
ST帶領(lǐng)精確3D定位感測技術(shù)進(jìn)入新的發(fā)展階段
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一款能夠精確測量手機(jī)等便攜設(shè)備海拔高度的壓力傳感器，新款傳感器...
- 關(guān)鍵字： ST
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