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EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand

固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

  • 　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 　　隨著Intel Ivy Bridge處
  • 關鍵字： 固態(tài)硬盤  NAND  

NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計

  • NAND閃存存儲器的自適應閃存映射層設計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
  • 關鍵字： 閃存  設計  映射  存儲器  NAND  適應  

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
  • 關鍵字： 存儲  管理  TMS320F28x  實現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

  • 　　據(jù)媒體報道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭，市場份額達到了34.6%。 　　集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%，而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。 　　集邦科技指出，三星電子
  • 關鍵字： 海力士  NAND  

Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

  • 　　外電報導，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報：受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元，遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查，分析師平均預期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查，分析師原先預期Hynix Q4
  • 關鍵字： Hynix  NAND  

蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4

  • 　　根據(jù)市場研究機構Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出，蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ，憑借著這么大的采購量，蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。 　　Sacconaghi 報告指出，蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% ， iPad 為30% 。這么大的量，自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣，大約是每GB 價格為0.6
  • 關鍵字： 蘋果  NAND  

東芝、爾必達再談整合

  • 　　日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。 　　近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商，且日本政府扮演關鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露，東芝在發(fā)展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補，后續(xù)技術發(fā)展的重點也轉移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術，待3D-IC以及TSV的技術成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區(qū)各技術領域最完整之晶圓廠。 　　隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產(chǎn)品，希望明年標準
  • 關鍵字： 力晶  NAND  

回補庫存下滑 NAND Flash合約價格持續(xù)走低

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調(diào)查，因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預期而下滑，終端產(chǎn)品銷售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。 　　展望NAND Flash后市，集邦科技認為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題，因此，預
  • 關鍵字： NAND  SSD  

9月上旬NAND Flash合約價出現(xiàn)穩(wěn)定格局

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起，已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
  • 關鍵字： 集邦科  NAND  記憶卡  

ultrabook帶來新契機 NAND Flash需求9月或回溫

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，市場預期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應新產(chǎn)品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉為生產(chǎn)64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
  • 關鍵字： ultrabook  NAND  

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。
  • 關鍵字： IHS iSuppli  NAND  

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。 　　根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。 　
  • 關鍵字： 三星  NAND  

出貨不如預期 閃存芯片價格小幅下跌

  • 　　受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。 　
  • 關鍵字： 閃存芯片  NAND  

下一代光刻技術延遲 NAND成長或趨緩

  • 　　在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估。 　
  • 關鍵字： SanDisk  NAND  
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