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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 　　英飛凌

英飛凌將推出利用手機進行無線充電的智能鎖解決方案

  • 未來，鑰匙在人們?nèi)粘Ｉ钪械脑S多領(lǐng)域都將成為歷史。英飛凌科技股份公司將面向市場推出一款可以通過手機開啟和關(guān)閉的智能鎖解決方案。該智能鎖無需電池，能夠利用手機進行無線充電，這就是所謂的“能量采集”技術(shù)。?英飛凌——免電池智能鎖解決方案?英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示：“英飛凌憑借全新的解決方案，為智能鎖取代鑰匙、走進千家萬戶鋪平了道路。我們的智能鎖解決方案無需更換電池，率先提供了一種可靠、免維護和安全的方式來開啟和關(guān)閉智能鎖?！?英飛凌指出，該公司還
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汽車感性負載安全退磁能量計算和分析

  • 隨著汽車電子技術(shù)的發(fā)展，輕量化與智能化的需求也帶動了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車身負載驅(qū)動的大規(guī)模應(yīng)用。對于感量較大的負載，如雨刮、鼓風(fēng)機、風(fēng)扇、繼電器等，需要考慮負載關(guān)斷時產(chǎn)生的能量對系統(tǒng)的沖擊，同時驅(qū)動器件不能被該能量擊穿。本文提供了評估測量感性能量的方法和工具，在一個明確定義的應(yīng)用場景中，瞬間關(guān)斷時的產(chǎn)生的箝位能量（ECL），與高壓側(cè)器件本身的能量能力進行對比，保證IPD器件長期可靠工作。1 簡介退磁過程介紹汽車應(yīng)用越來越需要具備驅(qū)動大電流、大感量執(zhí)行器的能力，在變速箱控制模塊（TCU）應(yīng)用中
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IGBT安全工作區(qū)（SOA）知多少

  • 失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深層原因與整機的應(yīng)用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計是密切相關(guān)的。作為電力電子研發(fā)工程師，最不想見到的畫面之一一定有下面這樣的圖片，完了，BBQ了……圖1.IGBT單管和模塊的典型失效圖片失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深層原因與整機的應(yīng)用環(huán)境和系統(tǒng)設(shè)計是密切
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英飛凌推出新款高能效IPOL DC-DC降壓穩(wěn)壓電源模塊

  • 當(dāng)前，服務(wù)器、通信和網(wǎng)絡(luò)存儲應(yīng)用都在盡最大努力降低功耗和縮減解決方案的尺寸。與此同時，瞬息萬變的市場也要求系統(tǒng)解決方案提供商比以往更快地滿足市場需求。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY）推出了高效、可靠的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器模塊，進一步壯大其POL（負載電源）模塊的產(chǎn)品陣容。這些模塊對于希望借助緊湊、完全集成和易于設(shè)計的POL產(chǎn)品來幫助他們加快新產(chǎn)品上市的系統(tǒng)設(shè)計師而言，是理想的選擇。它們主要面向空間和散熱條件受限的應(yīng)用，例如電信和數(shù)據(jù)通信應(yīng)用、服務(wù)器以及
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第三代半導(dǎo)體與硅器件將長期共存

  • 受訪人：英飛凌科技1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　相似之處：相較于傳統(tǒng)的硅材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有更大的禁帶寬度、更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有耐高壓、低導(dǎo)通電阻、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性?！　〔煌幖胺謩e適用于哪些應(yīng)用：碳化硅和氮化硅這兩種寬禁帶半導(dǎo)體材料之間也存在著諸多差異。　
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英飛凌與Oxford Ionics攜手開發(fā)先進的離子阱量子處理器

  • 英飛凌科技股份公司和Oxford Ionics宣布雙方將攜手打造完全集成的高性能量子處理器（QPU）。Oxford Ionics獨特的電子量子比特控制（EQC）技術(shù)與英飛凌全球領(lǐng)先的工程、制造能力以及在量子科技方面的技術(shù)專長相結(jié)合，將為在未來五年內(nèi)實現(xiàn)數(shù)百量子比特的量子處理器的工業(yè)化生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。雙方的合作旨在讓量子計算技術(shù)從實驗室走向應(yīng)用場，轉(zhuǎn)化為真正的工業(yè)級解決方案。 Infineon ion trap許多行業(yè)正在尋求從根本上改進其流程和能力，量子計算將為它們開啟算力新時代。而實現(xiàn)這一目標(biāo)，
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哪吒汽車與英飛凌宣布就電動汽車電池管理整體解決方案進行技術(shù)合作

  • 7月8日，全球首屈一指的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技與合眾新能源旗下的哪吒汽車在中國桐鄉(xiāng)，共同舉辦哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術(shù)合作發(fā)布儀式。來自哪吒汽車和英飛凌科技（中國）有限公司的嘉賓共同參與了該發(fā)布儀式。?哪吒天工電池與英飛凌BMS整體解決方案技術(shù)合作發(fā)布儀式BMS電池管理系統(tǒng)是電池的“大腦”，也是新能源汽車產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一。雙方合作開發(fā)的BMS系統(tǒng)級解決方案，包括了哪吒汽車自研的天工電池，及英飛凌 AURIX?微控制器、12通道AFE、電源管理芯片等產(chǎn)品，滿足ASIL D的系
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英飛凌與臺達雙強連手：以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務(wù)器及電競電源市場

  • 數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創(chuàng)新的半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應(yīng)用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
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英飛凌推出高度集成的MOTIX?電機控制器和三相柵極驅(qū)動器

  • 憑借其眾多優(yōu)點，三相無刷直流（BLDC）電機正在成為設(shè)計現(xiàn)代化電池供電型電機產(chǎn)品的首要選擇。然而，為了讓產(chǎn)品符合人體工學(xué)設(shè)計并延長電池的使用壽命，需要縮小產(chǎn)品的尺寸并減輕重量，這給產(chǎn)品設(shè)計帶來了巨大挑戰(zhàn)。為了幫助設(shè)計師滿足終端市場的需求，英飛凌科技股份公司推出了完全可編程的電機控制器MOTIX? IMD700A和IMD701A。它們采用9 x 9 mm2 64引腳VQFN封裝，能夠讓無線電動工具、園藝用品、無人機、電動自行車以及自動導(dǎo)引車擁有更高的集成度以及功率密度，從而滿足用戶需求。?MOTI
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英飛凌與Aqara綠米攜手推出搭載毫米波雷達的智能家居解決方案

  • 人體存在感知是智能家居中極其重要的一項應(yīng)用技術(shù)，智能家居設(shè)備通過精準(zhǔn)地感知人體存在和狀態(tài)，做出相應(yīng)的響應(yīng)或互動。但長期以來，人體傳感器卻普遍存在不夠精準(zhǔn)、無法對靜態(tài)人體進行監(jiān)測等問題。 針對這一問題，全球半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技（簡稱英飛凌）與全屋智能領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Aqara綠米合作，推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人體存在解決方案，即Aqara人體存在傳感器FP1。該產(chǎn)品已在Aqara電商及線下Aqara Home智能家居體驗館正式上市。它搭載了英飛凌高度精準(zhǔn)的XENSIV?毫
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題

  • 這篇微信文章，其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。這篇微信文章，其實構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇：●    2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們再次聊聊在SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考。在展開
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例

  • 變頻器在設(shè)計上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關(guān)鍵器件，其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小，也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。本文從變頻器的應(yīng)用特點出發(fā)，結(jié)合第七代IGBT的低飽和壓降和最大運行結(jié)溫等特點，介紹了第七代IGBT如何助力變頻器應(yīng)用。本文通過分析變頻器的損耗組成，并通過熱仿真對比第四代IGBT和第七代IGBT的性能，最后通過實驗來驗證結(jié)論。相同工況下IGBT7損耗和結(jié)溫明顯低于IGBT4，這樣可以減小變頻器的體積或是
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

  • 米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動電路。為此，本文介紹了
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動態(tài)特性

  • CoolSiC? MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實現(xiàn)高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù)，以實現(xiàn)他們的設(shè)計目標(biāo)。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。溫度對CoolSiC? MOSFET導(dǎo)通特性的影響MOSFET靜態(tài)輸出特性的關(guān)鍵參數(shù)是漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(on)。我們定義了CoolSiC? MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側(cè)所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的
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英飛凌OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)珠聯(lián)璧合，輕松安全地將物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端

  • 在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中，信任機制是設(shè)備與云服務(wù)之間進行各種交互的基石。因此，必須為每臺設(shè)備提供唯一的可信身份標(biāo)識，以便在設(shè)備連接入網(wǎng)時進行安全身份認證。與此同時，為成千上萬臺設(shè)備提供安全ID，對OEM廠商來說是一個不小的挑戰(zhàn)。為了幫助OEM廠商應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)相結(jié)合，推出了一款高端安全解決方案，為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端提供硬件信任錨。 &
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