　　英飛凌文章進(jìn)入　　英飛凌技術(shù)社區(qū)

當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC

導(dǎo)讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對(duì)一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是常見的設(shè)計(jì)，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì)造成空壓機(jī)線包發(fā)熱和電機(jī)軸電流。一般的對(duì)策有二：1.采用大的柵
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀

IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著I
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IGBT門極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓

【導(dǎo)讀】先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個(gè)問題。IGBT是一個(gè)受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG電容產(chǎn)生分布電流灌入門極，使門極電壓抬升，可能導(dǎo)致原本處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT開通，如圖1所示。電流變化di/dt可以通過發(fā)射極和驅(qū)動(dòng)回路共用的
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英飛凌深耕傳感技術(shù) 助力健康檢測(cè)

　　在疫情反復(fù)和隔離封閉的環(huán)境下，如何自主的檢測(cè)身體和環(huán)境狀態(tài)并進(jìn)行改善和調(diào)整成為當(dāng)下人們的熱點(diǎn)話題。近日，英飛凌召開“智”在健康媒體會(huì)，根據(jù)英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部應(yīng)用市場(chǎng)總監(jiān)李國(guó)豪先生的介紹，英飛凌目前有4類廣泛應(yīng)用的傳感器。第一種是MEMS類產(chǎn)品，在手機(jī)、耳機(jī)、智能音箱上都有廣泛的應(yīng)用。第二類是3D立體毫米波雷達(dá)傳感器，主要應(yīng)用在汽車領(lǐng)域，雷達(dá)傳感器可在較遠(yuǎn)距離偵測(cè)到是否有障礙物。第三類傳感器是3D ToF飛行光傳感器，它能夠偵測(cè)到人體或者是物體的距離、深度，可以應(yīng)用在手機(jī)面容解鎖、面
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貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學(xué) (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風(fēng)檢測(cè)傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測(cè)方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測(cè)器、紅外源和光學(xué)濾波器）、用
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通的機(jī)制，并進(jìn)一步指出為了避免寄生導(dǎo)通，在選取MOSFET時(shí)應(yīng)遵循什么準(zhǔn)則。
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聚焦醫(yī)療照護(hù)應(yīng)用英飛凌發(fā)布多款傳感器方案

英飛凌(Infineon)今日發(fā)表了一系列的先進(jìn)傳感器產(chǎn)品，包含毫米波雷達(dá)（mmWave Radar）感測(cè)、ToF感測(cè)和二氧化碳感測(cè)等，并聚焦目前正快速成長(zhǎng)的醫(yī)療照護(hù)應(yīng)用領(lǐng)域，如智能手表、手環(huán)、眼鏡等。此外，包含汽車、工業(yè)、智慧家庭、智慧建筑，以及新興的元宇宙ARVR等應(yīng)用也是鎖定的市場(chǎng)。此次發(fā)表的傳感器方案系隸屬于英飛凌XENSIV感測(cè)技術(shù)系列中的產(chǎn)品，其中動(dòng)態(tài)偵測(cè)器BGT60LTR11AIP，以及先進(jìn)傳感器BGT60TR13C皆是采用毫米波雷達(dá)的解決方案，并使用AiP的天線封裝技術(shù)，能縮短系統(tǒng)開發(fā)商的
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借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度

　　英飛凌科技首席應(yīng)用工程師Zhong Fang Wang、英飛凌科技高級(jí)主任應(yīng)用工程師Matt Yang　　如今，充電器和適配器應(yīng)用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫菧?zhǔn)諧振（QR）反激式拓?fù)?，因?yàn)樗Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制簡(jiǎn)便、物料（BOM）成本較低，并可通過波谷切換工作實(shí)現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開關(guān)損耗和變壓器漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度?！　≡赒R反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更
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乘用車前裝視覺DMS搭載率不到3%，3D ToF進(jìn)入量產(chǎn)周期

汽車智能化，離不開硬件的迭代。即將亮相的理想L9（理想ONE之后的第二款車）將搭載3D-ToF傳感器，除了駕駛員眼睛注視和頭部跟蹤監(jiān)控，還將作為理想自研的深度學(xué)習(xí)+多模態(tài)三維空間交互技術(shù)的主要硬件載體。而此前，大部分用于檢測(cè)駕駛員疲勞的駕駛員監(jiān)測(cè)系統(tǒng) (DMS)均采用成本較低的傳統(tǒng)2D可見光攝像頭（配合IR紅外LED）。當(dāng)應(yīng)用需要高距離精度以及三維成像時(shí)，3D ToF具有明顯的優(yōu)勢(shì)。一般而言，ToF傳感器的圖像處理深度精度比2D攝像頭（視頻流）要高。例如，在一米距離內(nèi)，ToF利用VCSEL（可選光源的一種
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福田汽車與英飛凌在京簽訂合作備忘錄攜手開啟新能源時(shí)代

　　2011年9月2日，中國(guó)北京——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）與福田汽車今日在京召開聯(lián)合新聞發(fā)布會(huì)，宣布雙方簽訂新能源領(lǐng)域合作備忘錄。此次簽約將使雙方在新能源汽車關(guān)鍵系統(tǒng)開發(fā)、充電和儲(chǔ)能系統(tǒng)開發(fā)等領(lǐng)域展開深入而廣泛的合作，對(duì)于雙方確立共贏的伙伴關(guān)系具有重要意義。　　根據(jù)該合作備忘錄，福田汽車將首先在多款電池管理系統(tǒng)（BMS）中采用英飛凌的主動(dòng)平衡解決方案作為其特色供應(yīng)商，優(yōu)化電池管理系統(tǒng)軟、硬件。這也是英飛凌公司首次將該技術(shù)應(yīng)用于商用車領(lǐng)域。英飛凌的主動(dòng)平衡解決方案是針對(duì)
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英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器，為電力電子系統(tǒng)提供全面的短路保護(hù)

現(xiàn)代電力電子器件需要盡可能實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率，這也促使器件的功率密度不斷提高。然而，一旦發(fā)生短路故障，就會(huì)對(duì)高價(jià)值系統(tǒng)構(gòu)成威脅。為了避免這種狀況的發(fā)生，并為系統(tǒng)提供可靠的保護(hù)，英飛凌科技股份公司近日宣布推出EiceDRIVER? F3 （1ED332x）增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步壯大其EiceDRIVER? 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的產(chǎn)品陣容。該系列柵極驅(qū)動(dòng)器能夠提供可靠且全面的保護(hù)，防止短路故障的發(fā)生，讓包括IGBT在內(nèi)的傳統(tǒng)功率開關(guān)以及CoolSIC?寬禁帶器件得到有效保護(hù)。該系列柵極驅(qū)動(dòng)器專為工業(yè)驅(qū)動(dòng)
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英飛凌將投資逾20億歐元擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)能

英飛凌將顯著擴(kuò)大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個(gè)廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。此次擴(kuò)建是英飛凌根據(jù)公司半導(dǎo)體生產(chǎn)制造長(zhǎng)期戰(zhàn)略而做出的決策，居林工廠在200毫米晶圓生產(chǎn)方面所取得的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)為該項(xiàng)目打下了良好的基礎(chǔ)。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠奠定了公司在半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)
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英飛凌收購(gòu)NFC專利組合領(lǐng)先知識(shí)產(chǎn)權(quán)與物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)地位

英飛凌科技股份有限公司，近日完成對(duì)France Brevets與Verimatrix公司NFC專利組合的收購(gòu)。NFC專利組合包含由多個(gè)國(guó)家頒發(fā)的近300項(xiàng)專利，這些專利全部與近場(chǎng)通訊（NFC）技術(shù)相關(guān)，包括主動(dòng)負(fù)載調(diào)變（ALM）等嵌入在集成電路（IC）中的技術(shù)，以及能夠增強(qiáng)NFC的易用性從而給用戶帶來便利的技術(shù)。目前英飛凌是該專利組合的唯一擁有者。NFC專利組合之前由France Brevets持有，如今已被全部納入英飛凌的專利管理范圍之中，將助力英飛凌在一些最具挑戰(zhàn)性的環(huán)境中快速且輕松地完成開發(fā)工作，從
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英飛凌攜手SensiML 為開發(fā)者提供開發(fā)軟件和套件

英飛凌科技正與 SensiML 公司進(jìn)行合作，共同為開發(fā)者提供 SensiML Analytics Toolkit開發(fā)軟件和 ModusToolbox套件，以便他們能夠輕松無縫地從英飛凌 XENSIV 傳感器中獲取資料、訓(xùn)練機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 模型，并直接在超低功耗 PSoC 6 微控制器 (MCU) 上部署實(shí)時(shí)推理模型。英飛凌攜手 SensiML為智能家庭、健身和工業(yè)應(yīng)用提供傳感器數(shù)據(jù)并訓(xùn)練機(jī)器學(xué)習(xí)模型SensiML致力于開發(fā)AI工具，以建構(gòu)智慧物聯(lián)網(wǎng)終端。透過此次合作，雙方將為設(shè)計(jì)人員提供
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基于GaN的高功率密度快充正快速成長(zhǎng)

1? ?看好哪類GaN功率器件的市場(chǎng)？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場(chǎng)的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長(zhǎng)。這說明影響新材料市場(chǎng)發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當(dāng)中的1 個(gè)。我個(gè)人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應(yīng)用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達(dá)等，其中快充會(huì)繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開關(guān)器件的市場(chǎng)成長(zhǎng)。相對(duì)于硅
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