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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 內存芯片

三星全球最快嵌入式NAND內存芯片投產

  •  為了適應下代移動設備超輕超薄的特性,SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范,一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米,而重量僅有0.6克。

      三星表示,新一代芯片將會包括16GB,32GB以及64GB等三個版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?

  • 關鍵字: 三星  NAND  內存芯片  

內存芯片放顯屏上?透明柔性3D內存芯片制成顯示屏

  •   據麻省理工 新發(fā)明的透明柔性3D存儲芯片會成為小存設備中的一件大事。這種新的內存芯片透明柔韌,可以像紙一樣折疊,而且可以耐受1000華氏度的溫度,是廚房烤箱最高溫度的兩倍,而且可以耐受其他有害條件,有助于開發(fā)下一代內存,可與閃存競爭,用于明天的隨身碟,手機和電腦,這是科學家在3月27日報道的。   在美國化學學會(American Chemical Society)第243屆全國會議暨博覽會(243rd National Meeting & Exposition)上,發(fā)明者說,一些設備使用這
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爾必達突然破產 內存芯片行業(yè)面臨調整

  •   近日,全球第三大內存芯片廠商日本爾必達公司無預警地向東京地方法院提出破產保護申請。目前,該公司債務達到4480億日元(約合55億美元),也成為日本制造業(yè)歷史上負債規(guī)模最大的破產案。   眼下,這家日本芯片制造商市值幾乎蒸發(fā)殆盡。從2008年第四季度到2011年第四季度里,爾必達只有兩個季度實現贏利。業(yè)界分析普遍認為,日元匯率的持續(xù)走強、產品價格下滑以及泰國洪災是造成PC供貨低迷的多重壓力下。   不過,曾數次在資金緊缺的情況下仍然讓爾必達起死回生的公司CEO坂本幸雄也承認,自己的確在過去的某個時間
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內存芯片識別方法

  • 內存芯片識別方法1.LGS:LGS的SDRAM芯片上的標識; GM72V*****1**T** GM為LGS產品; 72為SDRAM; 第1,2個*代表容量,16 ...
  • 關鍵字: 內存芯片  識別方法  

現代內存芯片的編號識別

  • 現代內存芯片的編號識別一、現代(HYUNDAI)公司的SDRAM內存芯片上的標識格式如下(這里說的是2000年9月30日后 ...
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日股爾必達一天大跌97%

  •   日本內存芯片廠商爾必達已申請破產保護,該公司股價在昨日東京股市的交易中大跌97%,創(chuàng)下東京股票交易所取消單日漲跌幅限制以來的最大跌幅。爾必達的破產是日本兩年來規(guī)模最大的公司破產案。在東京股市昨日的交易中,爾必達股價一度跌至4日元,遠低于周二收盤時的254日元。將于2015年到期、面值100日元的爾必達可轉債價格則較2月27日下跌60日元,至14日元。   爾必達是日本最后一家計算機內存芯片廠商,該公司此前已連續(xù)5個季度虧損。爾必達于2月27日向東京地區(qū)法院提交了破產保護申請,其債務達到4480億日元
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。   美光將會開始生產利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產。   IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術。   對于美光而言,混合式記憶體立方(HMC)
  • 關鍵字: 美光  內存芯片  硅穿孔  

美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。   美光將會開始生產利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產。   IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE 國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術。   對于美光而言,混合式記憶體立方
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爾必達25nm制程4GB內存芯片樣品出貨

  •   爾必達日前表示,該公司已成功生產出25nm制程、4GB大小的SDRAM內存芯片樣品,即將出貨。早前,爾必達就宣稱從7月開始發(fā)售限量版的25nm制程2GB內存芯片,而新款4G的25nm內存芯片將取代現在的30nm制程的4GB DDR3內存芯片產線,產品生產效率也將提高45%。除此之外,新款25nm芯片性能更強勁,可以有效降低待機電流。   
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蘋果采購日本內存芯片 減少對三星依賴

  •   據科技網站DigiTimes報道,業(yè)內人士稱,蘋果公司從日本購買的DRAM和NAND閃存量大幅增加,主要來源為東芝和Elpida Memory公司。   消息稱,蘋果和三星之間的專利訴訟促使蘋果分散其訂單。三星一直是蘋果公司最大的零部件供應商。蘋果目前正在從Elpida和東芝公司采購NAND和RAM芯片,以減少其對三星電子的內存供應的依賴。  
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全球8大內存芯片廠商虧損連連 僅3家盈利

  •   北京時間9月1日消息,彭博社發(fā)文稱,由于PC市場低迷等因素,內存芯片制造業(yè)處境艱難,全球八大廠商僅三家盈利,部分較小廠商選擇轉行或謀求并購,而分析人士認為該行業(yè)最終或將合并入幾個大型廠商手中。原文如下:   債務、虧損與價格下跌造成的沉重負擔,使內存芯片廠商茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技(Powerchip Technology Corp.)和爾必達(Elpida Memory Inc.)承受的壓力越來越大,或將尋求合并或退出該產業(yè)。  
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內存芯片制造商承受壓力加大:尋求合并或退出

  •   北京時間8月31日下午消息,由于負債累累、不斷虧損、內存芯片價格持續(xù)下滑,內存芯片制造商爾必達、茂德和力晶科技承受的壓力越來越大,他們或因此尋求合并或退出業(yè)界。   
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三星第2季內存營收同比減12%

  •   三星電子日前公布,今年第2季(4-6月)半導體部門合并營收年減4%至9.16兆億韓圜,略低于前季的9.18兆億韓圜;合并營益年減11.3%至1.79兆億韓圜,高于前季的營益1.64兆億韓圜;營益率達19.6%,高于前季的17.9%,但低于去年同期的30.9%。三星指出,4-6月內存營收年減12%至5.89兆億韓圜。   三星電子曾在1月28日預期,今年半導體部門資本支出將由去年的12.7兆億韓圜下降至10.3兆億韓圜,其中內存相關資本支出將由去年的9兆億韓圜下滑36%至5.8兆億韓圜。Thomson
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業(yè)界看淡今年下半年芯片市場

  •   南韓三星電子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事業(yè)總括部門社長權五鉉,及海力士(Hynix)社長權五哲等南韓半導體業(yè)界大老近期均異口同聲表示,2011年下半內存芯片市況將不透明。權五鉉表示,一般來說,下半年內存芯片市況應會比上半年好,然而近來變量相當多。2011年下半可能會與上半相同,半導體價格可能會大幅攀升,也可能沒有任何表現。
  • 關鍵字: 三星電子  內存芯片  

海力士一季度凈利潤2.54億美元

  •   據國外媒體報道,全球第二大電腦內存芯片生產商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財報。財報顯示,今年第一季度海力士實現凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元),比去年同期大幅下降66%,這主要是受到個人電腦需求低迷導致芯片價格下滑影響。   
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內存芯片介紹

  簡單地說:內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!   根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是:   具體含義解釋:   例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0   主要含義:   第1位——芯片功能K,代表是內存芯片。   第2位——芯片類型4,代表DRAM。   第3位——芯片的更進一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細 ]

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