內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)；
GM72V*****1**T**
GM為L(zhǎng)GS產(chǎn)品；
72為SDRAM；
第1，2個(gè)*代表容量，16為16Mbit，66為64Mbit；
第3，4個(gè)*代表數(shù)據(jù)位寬，一般為4，8，16等，不補(bǔ)0；
第5個(gè)*代表bank，2代表2個(gè)，4代表4個(gè)；
第6個(gè)*代表是第幾個(gè)版本的內(nèi)核；
第7個(gè)*如果是L就代表低功耗，空白為普通；
“T”為TSOP II封裝；“I”為BLP封裝；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
7：7.5ns(133MHz)
8：8ns(125MHz)
7K：10ns(PC100 CL23)
7J：10ns(PC100 CL3)
10K：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)
2．Hyundai：現(xiàn)代的SDRAM芯片的標(biāo)識(shí)
HY5*************-**
HY為現(xiàn)代產(chǎn)品，
5*表示芯片類型，57為SDRAM，5D為DDR SDRAM；
第2個(gè)*代表工作電壓，空白為5伏，“V”為3；3伏，“U”為2；5伏；
第3-5個(gè)*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref
64：64Mbit，8k Ref
65：64Mbit，4k Ref
128：128Mbit，8k Ref
129：128Mbit，4k Ref
256：256Mbit，16k Ref
257：256Mbit，8K Ref
第6，7個(gè)*代表數(shù)據(jù)位寬，40，80，16，32分別代表4位，8位，16位和32位；
第8個(gè)*代表bank，1，2，3分別為2，4，8個(gè)bank；
第9個(gè)*一般為0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10個(gè)*可為空白或A，B，C，D等，代表內(nèi)核，越往后越新；
第11個(gè)*如為L(zhǎng)則為低功耗，空白為普通；
第12，13個(gè)*代表封裝形式；
最后幾位為速度：
7：7ns(143MHz)
8：8ns(133MHz)
10P：10ns(PC100 CL2/3)
10S：10ns(Pc100 CL3)
10：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)
3．Micron： Micron的SDRAM芯片的標(biāo)識(shí)；
MT48****M**A*TG-***
MT為Micron的產(chǎn)品；
48代表SDRAM，其后的**如為L(zhǎng)C則為普通SDRAM；
評(píng)論