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內存芯片識別方法

作者: 時間:2012-04-03 來源:網絡 收藏
TSOPⅡ封裝;-A80代表速度:在CL=3時可工作在

125MHZ下,在100MHZ時CL可設為2(80=8ns[125MHz CL 3],10=10ns[PC100 CL

3],10B=10ns較10慢,Tac為7,不完全符合PC100規(guī)范,12=12ns,70=[PC133],

75=[PC133]);JF代表封裝外型(NF=44-pinTSOP-Ⅱ;JF=54-pin TSOPⅡ;

JH=86-pin TSOP-Ⅱ)。
 
  HITACHI的編號例如HM5264805F -B60表示:HM代表日立的產品;52

是SDRAM類型(51=EDO DRAM,52=SDRAM);64代表容量64MB;80表示數據位寬

(40、80、16分別代表4位、8位、16位);5F表示是第幾個版本的內核(現在至

少已排到'F'了);空白表示功耗(L=低功耗,空白=普通);TT為TSOⅡ封裝;

B60代表速度(75=7.5ns[133MHz],80=8ns[125MHz],A60=10ns[PC-100 CL2

或3],B60=10ns[PC-100 CL3]即100MHZ時CL是3)。
 
  SIEMENS(西門子)編號格式為:HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab

為容量,gh是速度(6=166MHz,7=143MHz,7.5=133MHz,8=125MHz,8B=100MHz[



關鍵詞: 內存芯片 識別方法

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