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內(nèi)存芯片識別方法

作者: 時間:2012-04-03 來源:網(wǎng)絡 收藏
-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">128Mbit,其中16 = 內(nèi)存基粒容量;8 = 基粒數(shù)目;M = 容量單位,無字母=Bits

,K=KB,M=MB,G=GB);4表示版本;TG是封裝代碼(DJ=SOJ,DW=寬型SOJ,F(xiàn)=54

針4行FBGA,F(xiàn)B=60針8*16 FBGA,F(xiàn)C=60針11*13
FBGA,F(xiàn)P=反轉芯片封裝,F(xiàn)Q=反轉芯片密封,F(xiàn)1=62針2行FBGA,F(xiàn)2=84針2行FBGA

,LF=90針FBGA,LG=TQFP,R1=62針2行微型FBGA,R2=84針2行微型FBGA,TG=TSOP

(第二代),U=μ BGA);-7是存取時間(7=7ns(143MHz));AMIR是內(nèi)部標識

號。以上編號表示金邦千禧條,128MB,TSOP(第二代)封裝,0.2微米3.3V
Vdd CMOS制造工藝,7ns、143MHz速度。
 
(5)SEC(Samsung Electronics,三星)
 
   三星EDO DRAM編號例如KM416C254D表示:KM表示三星內(nèi)存;4代表

RAM種類(4=DRAM);16代表組成x16(1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x4、

8=x8、16=x16);C代表電壓(C=5V、V=3.3V);254代表內(nèi)存密度256Kbit(256

[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx)

;D代表內(nèi)存版本(空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代)即三星



關鍵詞: 內(nèi)存芯片 識別方法

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