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內(nèi)存芯片識別方法

作者： 時間：2012-04-03 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px 0px 20px; WORD-SPACING: 0px; FONT: 14px/24px 宋體, arial; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 3em; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz

(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新時間0 =

64m/4K (15.6μs)，內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓

LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封裝類型66針TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。
　
　　三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表

RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示

產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M

、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WL

-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，

BGA封裝，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）
　
　　Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存

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