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內(nèi)存芯片識(shí)別方法

作者： 時(shí)間：2012-04-03 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的

冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表內(nèi)核版本

（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功

耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-

Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，

8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，

10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
　
　　例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和

4K refresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC

是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
　
　　市面上HY常見的編號(hào)還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中

ATC10編號(hào)的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號(hào)ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也

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