內(nèi)存芯片識(shí)別方法
其中MT代表Micron的產(chǎn)品;48代表產(chǎn)品家族(48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR
SDRAM、6=Rambus);ab代表處理工藝(C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,
V=2.5V Vdd CMOS);cdMef設(shè)備號(hào)碼(深度*寬度),無字母=Bits,K=Kilobits
(KB),M=Megabits(MB),G=Gigabits(GB)Mricron的容量=cd*ef;ef表示數(shù)
據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位);Ag代表Write Recovery
[Twr](A2=Twr=2clk);TG代表封裝(TG=TSOPⅡ封裝,DJ=SOJ,DW=寬型SOJ,
F=54針4行FBGA,F(xiàn)B=60針8*16 FBGA,F(xiàn)C=60針11*13 FBGA,F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝,
FQ=反轉(zhuǎn)芯片密封,F(xiàn)1=62針2行FBGA,F(xiàn)2=84針2行FBGA,LF=90針FBGA,LG=TQFP,
R1=62針2行微型FBGA,R2=84針2行微型FBGA,U=μ BGA);j代表功耗(L=低耗,
空白=普通);hj代表速度,分成以下四類:
(A)DRAM
-4=40ns,-5=50ns,-6=60ns,-7=70ns
SDRAM,x32 DDR SDRAM(時(shí)鐘率 @ CL3)
-15=66MHz,-12=83MHz,-10+=100MHz,-8x+=125MHz,-75+=133MHz,-
評(píng)論