內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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TOSHIBA的內(nèi)存芯片編號(hào)例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是東芝的產(chǎn)品；
59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容
量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數(shù)據(jù)位寬（04、08、16、32分別代表4位、8位
、16位和32位）；B表示內(nèi)核的版本；FT為TSOPⅡ封裝（FT后如有字母L=低功耗，
空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns
［100MHz CL=3］）。
IBM的內(nèi)存芯片編號(hào)例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的產(chǎn)品；03代
表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（40、80、16分別代表4、8、16位）
；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內(nèi)核的版本；10代表速度（68=6.8ns
［147MHz］，75A=7.5NS［133MHz］， 260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或
322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時(shí)的標(biāo)定速度為
評(píng)論