內(nèi)存芯片識(shí)別方法
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7K的代表該內(nèi)存外頻是PC100，75的是PC133的，但現(xiàn)代內(nèi)存目前尾號(hào)為75的早已
停產(chǎn)，改換為T-H這樣的尾號(hào)，可市場(chǎng)上PC133的現(xiàn)代內(nèi)存尾號(hào)為75的還有很多，
這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購(gòu)買T-H尾號(hào)
的PC133現(xiàn)代內(nèi)存。
（2）LGS［LG Semicon］
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的內(nèi)存芯片也很常見。LGS SDRAM內(nèi)存芯片編
號(hào)格式為：GM72V ab cd e 1 f g T hi
其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，
66=64Mbits)；cd表示數(shù)據(jù)位寬(一般為4、8、16等)；e代表Bank（2=2個(gè)Bank，
4=4個(gè)Bank）；f表示內(nèi)核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通
）；T代表封裝（T=常見的TSOPⅡ封裝，I=BLP封裝）；hi代表速度（7.5=7.5ns［
133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］，7J=10ns［100MHz］
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