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內(nèi)存芯片識別方法

作者： 時間：2012-04-03 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
R: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 3em; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">2代內(nèi)存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。
　
三星PC133標準SDRAM內(nèi)存芯片格式如下：
　
　　Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
　　Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
　　三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代

表RAM種類（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32

）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表內(nèi)存密

度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 =

256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K

[15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μ

s]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電

壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封裝類型（T=66

針TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz

(400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z =

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