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內(nèi)存芯片識別方法

作者: 時間:2012-04-03 來源:網(wǎng)絡 收藏
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M后的**表示數(shù)據(jù)的位寬;4,8,16,32分別代表4位,8位,16位和32位;
Micron的容量要自己算一下,將M前的**和其后的**相乘,得到的結果為容量;
A*代表write recovery(tWR),如A2表示tWR=2clk
TG為TSOP II 封裝,LG為TGFP封裝;
最后的**代表速度:
7:7ns(143MHz)
75:7.5ns(133MHz)
8*:8ns(125MHz),其中*為A-E,字母越往后越好;
10:10ns(100MHz CL=3);
例如:MT48LC8M8A2TG-8E,64Mbit(8*8),8位。

如何根據(jù)標識識別內(nèi)存(二)

---- 許多朋友都會遇到這樣一個問題,在購買內(nèi)存時不知如何識別內(nèi)存的品牌、類型、容量、速度等參數(shù)。許多人都認為內(nèi)存不經(jīng)過主板或?qū)S脵z測儀檢測難于識別,在此我們特為大家提供如下解讀內(nèi)存條的方法。鑒于篇幅限制,這里僅以市場上最常見的現(xiàn)代內(nèi)存、LG內(nèi)存以及KingMax內(nèi)存為例進行說明。

一、現(xiàn)代SDRAM的識別

---- 現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM上的標識格式如下:

HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩

---- “HY”表明是現(xiàn)代的產(chǎn)品。

---- ①代表的是內(nèi)存芯片種類: “51”為EDO,“57”為SDRAM,“5D”為DDR SDRAM。

---- ②代表工作電壓: “U”為2.5V,“V”為3.3V,空白代表5V。

---- ③代表一個內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號與密度及刷新速度的對應關系如表1所示。

---- ④代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分別代表輸出數(shù)據(jù)位寬為4位、8位、16位和32位。

---- ⑤代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個Bank組成: 其中“1”、“2”、“3”分別代表2個、4個和8個Bank。

---- ⑥代表內(nèi)存接口: 一般為“0”,代表LVTTL接口。

---- ⑦代表內(nèi)存版本號: 空白代表第一代,“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。

---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片,空白表示為正常功耗芯片。

---- ⑨代表封裝類型: 其編號與封裝類型的對應關系如下:


“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD

---- ⑩代表速度: 其編號與速度的對應關系如下:

“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)

二、LG SDRAM內(nèi)存芯片的識別

---- LG公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標識格式如下:

GM72V XX XX X X X X X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧

---- “GM”代表LG的產(chǎn)品。

---- “72”代表SDRAM。

---- “V”代表工作電壓為3.3V。

---- ①代表一個內(nèi)存芯片的密度和刷新速度: 其編號與密度及刷新速度的對應關系如表2所示。

---- ②代表數(shù)據(jù)位寬: 其中“4”、



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