首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 內(nèi)存芯片

金士頓高管:今年2季度內(nèi)存芯片價格還會漲!

  •   據(jù)金士頓內(nèi)存公司亞太業(yè)務(wù)分部的副總裁Scott Chen表示,盡管有可導(dǎo)致需求減旺的季節(jié)性因素存在,但今年第二季度市場對內(nèi)存芯片的需求將依然維持較為強勁的勢頭,他還認(rèn)為DDR2/3內(nèi)存芯片的價 格很有可能在目前的3美元均價的基礎(chǔ)上再進一步提升。   他認(rèn)為微軟Windows7操作系統(tǒng)在消費者和企業(yè)電腦系統(tǒng)中的普及程度是導(dǎo)致內(nèi)存需求旺盛的主要原因,他表示從今年年初開始,市場對內(nèi)存的需求便一直保持在較為旺盛的狀態(tài)。他還指出,只要各大內(nèi)存芯片廠商不要盲目擴大產(chǎn)能,那么內(nèi)存芯片市場的強勢需求局面將再維持至少
  • 關(guān)鍵字: 金士頓  內(nèi)存芯片  

未來三年內(nèi)存價格將持續(xù)攀升

  •   DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右,據(jù)該公司的分析師表示,2001-2003年,內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài),2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期,因此他們預(yù)計從2010年開始,在全球經(jīng)濟危機緩和,Windows7日漸流行等因素的影響下,內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈,進入新的一輪三年盈利期。   不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個重要的難題,他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  內(nèi)存芯片  

三星電子預(yù)期上半年芯片業(yè)務(wù)利潤超35億美元

  •   據(jù)國外媒體報道,韓國三星電子預(yù)期今年其芯片業(yè)務(wù)今年上半年營運利潤將超過4萬億韓元(35億美元)。   三星電子是全球最大的內(nèi)存芯片制造商,據(jù)消息人士透露,此前該公司預(yù)期全年芯片業(yè)務(wù)僅會產(chǎn)生4.4萬億韓元(約合39億美元)營運利潤。三星電子發(fā)言人拒絕就此作出評論。   電腦內(nèi)存芯片價格走高以及個人電腦需求的復(fù)蘇共同促進了三星公司增長的恢復(fù),該公司日前表示正考慮提高今年在內(nèi)存芯片方面的資本投入。   預(yù)計三星公司下周將公布其第一季度收入預(yù)期。   周二收盤時,三星公司股價報81.4萬韓元(約合72
  • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  

DRAMeXchange:未來三年內(nèi)存價格將持續(xù)攀升

  •   DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右,據(jù)該公司的分析師表 示,2001-2003年,內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期,而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài),2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期,因此他們 預(yù)計從2010年開始,在全球經(jīng)濟危機緩和,Windows7日漸流行等因素的影響下,內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈,進入新的一輪三年盈利期。   不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個重要的難題,他們要將制程水品提升到50nm以上級別則
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  光刻  

鎂光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃 將專注于制程提升

  •   繼三星,力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后,鎂光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃,鎂光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸,以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前,三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應(yīng)盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量,而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時要非常謹(jǐn)慎,以避免犯下和過去一樣的錯誤。   2005年,全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴增
  • 關(guān)鍵字: 鎂光  內(nèi)存芯片  

東芝重啟產(chǎn)能擴展計劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開工

  •   日本最大的內(nèi)存芯片廠商東芝將重啟因經(jīng)濟衰退而擱置的產(chǎn)能擴展計劃,它將從7月開始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。   東芝表示,新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市,是公司第五條生產(chǎn)線,預(yù)計在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。   包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機銷售的增長,推動了NAND內(nèi)存需求的增長。據(jù)市場調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計,NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達到181億美元。   東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱,雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模,但是建立新
  • 關(guān)鍵字: 東芝  內(nèi)存芯片  NAND  

美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃 將專注于制程提升

  •   繼三星,力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后,美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計劃,美光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸,以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前,三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應(yīng)盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量,而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時要非常謹(jǐn)慎,以避免犯下和過去一樣的錯誤。   2005年,全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴增
  • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  

壞消息:DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢

  •   1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位,顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示,造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一方面,由于PC廠商事先預(yù)計到了這種狀況,因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略,而這則進一步加劇了這種危機。   據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計,3月18日,打標(biāo)和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測試,但沒有打上原廠激光標(biāo)記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.3
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  DDR3  

iSuppli預(yù)計今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場將增40%

  •   2月24日消息,市場研究公司iSuppli預(yù)計,今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場增幅將超過40%,也是3年來的首次增長。   據(jù)國外媒體報道稱,iSuppli表示,今年全球DRAM內(nèi)存芯片銷售額將增長至319億美元,2009年、2008年和2007年DRAM內(nèi)存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。   iSuppli分析師邁克·霍華德當(dāng)?shù)貢r間上周四說,“今年DRAM內(nèi)存市場將繼續(xù)去年第四季度的增長趨勢,增長40%。”   推動去年第四季度DRAM
  • 關(guān)鍵字: DRAM  內(nèi)存芯片  

力晶將重啟在徐州地區(qū)建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計劃

  •   據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》報道,臺系內(nèi)存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計劃,報道稱力晶公司計劃向這間新廠房投資2.93億美元,并 將與當(dāng)?shù)卣块T和大陸當(dāng)?shù)仄髽I(yè)合作經(jīng)營這間芯片廠。   與臺積電以及茂德公司類似,力晶公司目前已經(jīng)獲得了臺灣當(dāng)局的許可,可以在大陸地區(qū)建造8英寸0.18微米及以下級別制程的芯片廠,不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實際行動。
  • 關(guān)鍵字: 力晶  內(nèi)存芯片  

鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

  •   鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品,雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。       兩家廠商預(yù)計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn),并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。   兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右,比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少,可節(jié)省30%電能。   這款42nm 2Gb
  • 關(guān)鍵字: 鎂光  內(nèi)存芯片  DDR3  

傳歐盟將起訴三星等內(nèi)存芯片廠商操縱價格

  •   消息人士透露,歐盟監(jiān)管機構(gòu)計劃對三星電子、英飛凌、海力士等十家內(nèi)存芯片廠商提供訴訟,指責(zé)這些廠商操控價格,違背歐盟反壟斷法規(guī)。   消息人士稱,歐盟委員會的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是全球最大和第二大的內(nèi)存芯片廠商。歐盟將起訴的公司還包括美光、爾必達、NEC電子、日立、東芝、三菱電機和南亞科技。   去年12月份英飛凌就曾透露,歐盟反壟斷機構(gòu)從2009年2月就開始對英飛凌進行正式調(diào)查,懷疑英飛凌在歐洲D(zhuǎn)RAM產(chǎn)品市場存在反競爭行為。DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片被廣泛應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  內(nèi)存芯片  

臺內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換計劃傳因設(shè)備交貨期拖延而更變

  •   據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露,由于沉浸式光刻設(shè)備的交貨日程有所延長,因此南亞,華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內(nèi)存芯片制造商今年轉(zhuǎn)向50nm級別制程節(jié)點的計劃有 可能會后延.而另一家臺系內(nèi)存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達的合資廠)計劃于今年二月份開始的光刻設(shè)備導(dǎo)入計劃也有可能會后延兩個月左右的時間。   而南亞和華亞則澄清稱其購買的沉浸式光刻設(shè)備將以分期到貨的形式進場,并宣稱此前進場的設(shè)備已經(jīng)按原計劃完成了進貨。   按南亞和華亞的計劃,他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術(shù)的轉(zhuǎn)換工作,并將于下半年開始試產(chǎn)40nm
  • 關(guān)鍵字: 華亞  光刻設(shè)備  內(nèi)存芯片  

三星將加大內(nèi)存芯片資本支出并建新生產(chǎn)線

  •   據(jù)韓國媒體報道,全球最大內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子今年可能加大對內(nèi)存芯片的投資,并建立一條新生產(chǎn)線。   報道援引不具名業(yè)內(nèi)人士的話稱,三星電子今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的資本支出約為7兆(萬億)韓元(61億美元)。   三星10月曾表示,今年計劃在內(nèi)存芯片上支出5.5萬億韓元,占半導(dǎo)體業(yè)務(wù)資本支出的大部分。   報道稱,三星還計劃在國內(nèi)工廠建立一條新的芯片生產(chǎn)線,這將是該公司多年來首次增設(shè)新生產(chǎn)線。   三星發(fā)言人拒絕就2010年投資計劃置評,并稱尚未決定是否新增生產(chǎn)線。三星在1月29日公布季報時,預(yù)計將就
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  內(nèi)存芯片  

南亞科增加今年支出預(yù)算 計劃提升芯片產(chǎn)能

  •   據(jù)透露,臺灣內(nèi)存芯片廠商南亞計劃增加2010年的資本支出預(yù)算,將其由原計劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元),據(jù)悉這筆增加的 預(yù)算將用于改進制程和擴展產(chǎn)能之用。南亞計劃將其12英寸廠產(chǎn)能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計算在內(nèi),那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達到每月11.5-12.5萬片,這個數(shù)字已達到了全球內(nèi)存芯片廠總產(chǎn)能的10%左右。   目前華亞12英寸廠的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨,另一半則為鎂光公司供貨,這家合資公司的月產(chǎn)能大
  • 關(guān)鍵字: 南亞科  內(nèi)存芯片  50nm  
共134條 5/9 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 »

內(nèi)存芯片介紹

  簡單地說:內(nèi)存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!   根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是:   具體含義解釋:   例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0   主要含義:   第1位——芯片功能K,代表是內(nèi)存芯片。   第2位——芯片類型4,代表DRAM。   第3位——芯片的更進一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細 ]

熱門主題

內(nèi)存芯片    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473