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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率

DPA-Switch系列集成控制器在小功率DC-DC變換器中的應(yīng)用(一)

  • 1.引言DPA-Switch是美國(guó)Power Integration公司推出的新型系列集成控制器,目前有DPA423R、DPA424R、DPA425R和DPA426R四種型號(hào)。該系列集成控制器采用CMOS工藝,其拓?fù)湫问脚cTOPSwitch系列集成控制器相同,內(nèi)部集成高
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具有精確交流功率計(jì)量的數(shù)字功率因數(shù)校正控制IC-ADP1047

  • 摘要:文中詳細(xì)分析了ADP1047數(shù)字功率因數(shù)校正控制IC的特點(diǎn)、引腳功能、工作原理及應(yīng)用電路。ADP1047集成了過(guò)壓保護(hù)(OVP)、過(guò)流保護(hù)(OCP)、欠壓保護(hù)(UVP)、接地連續(xù)計(jì)量、AC檢測(cè)、內(nèi)部過(guò)熱保護(hù)及外部溫度報(bào)告等功能,
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Actel Libero IDE具備全新功率驅(qū)動(dòng)布局和功率分析功能

  • Actel Libero IDE具備全新功率驅(qū)動(dòng)布局和功率分析功能,為了擴(kuò)展其業(yè)界領(lǐng)先的專門(mén)針對(duì)芯片級(jí)和系統(tǒng)級(jí)節(jié)省功率的解決方案,Actel公司宣布推出全新版本Libero集成設(shè)計(jì)環(huán)境(IDE),具備嶄新的重要功能包括功率驅(qū)動(dòng)布局,使設(shè)計(jì)人員得以進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì),并可減少典型設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)
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高功率白光LED芯片的散熱問(wèn)題

  • 就今天而言,白光LED仍舊存在著發(fā)光均一性不佳、封閉材料的壽命不長(zhǎng),而無(wú)法發(fā)揮白光LED被期待的應(yīng)用優(yōu)點(diǎn)。但就需求層面來(lái)看,不僅一般的照明用途,隨著手機(jī)、LCDTV、汽車、醫(yī)療等的廣泛應(yīng)用積極的出現(xiàn),使得最合適開(kāi)
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80C196MC波形發(fā)生器和智能功率模塊在逆變器中的應(yīng)用

  • 1 引言無(wú)源逆變技術(shù)在交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速、不間斷電源、交-直-交變頻電路等方面已經(jīng)有了非常廣泛的應(yīng)用。而脈寬調(diào)制技術(shù)更是以其諧波抑制、動(dòng)態(tài)響應(yīng)、頻率和效率等方面的明顯優(yōu)勢(shì)取得了很大的發(fā)展。特別是在自關(guān)斷器件出
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低功耗制造測(cè)試技術(shù)

  • 中心議題:動(dòng)態(tài)功耗與測(cè)試之間的關(guān)系功率管理的重要性功率預(yù)算的表示解決方案:通過(guò)設(shè)計(jì)分割反映功...
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基于APFC的超聲發(fā)生器功率調(diào)節(jié)數(shù)字控制策略

  • 引言  由于各種原因的影響,電網(wǎng)中存在著電流諧波,由于電網(wǎng)阻抗的存在,諧波電流流過(guò)電網(wǎng)阻抗,會(huì)使負(fù)載端電壓波形也出現(xiàn)畸變。此時(shí)系統(tǒng)的功率因數(shù)小于1,這樣會(huì)給電網(wǎng)帶來(lái)“污染”,同時(shí)也會(huì)影響超聲發(fā)
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TDA2009A功率放大電路

  • 這里介紹一個(gè)用TDA2009A功放集成電路制作的10+10W的立體聲放大器(見(jiàn)圖)。由于采用專用集成電路,使得它的制作變 ...
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晶體管15W甲類功率放大器

  • 一、 電路原理與特點(diǎn)1.功放部分(見(jiàn)圖1)  由VT1、VT2組成差動(dòng)放大電路,每管靜態(tài)電流約為0.5mA。R3為VT1的 ...
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賞析多款巨無(wú)霸功率放大器

  • 巨無(wú)霸(Monster)這個(gè)詞既有正面的含義又有反面的含義,它可以形容為龐然大物,另一方面也可以說(shuō)是非常具有挑戰(zhàn) ...
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一款典型的立體聲功率放大器的制作

  • 本立體聲功率放大器是以集成電路TDA2030A為主組成的立體聲功率放大器,其采用典型的功率放大電路,具有失真小、 ...
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如何配置功率放大器達(dá)到最佳狀態(tài)

  • 功率放大器在某種程度上主宰著整個(gè)系統(tǒng)能否提供良好的音質(zhì)輸出?! ?duì)于很多朋友來(lái)說(shuō),對(duì)放大器并不是十分 ...
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功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要:在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機(jī)制及相應(yīng)仿真模型的基礎(chǔ)上,研究了無(wú)緩沖層MOSFET準(zhǔn)靜態(tài)擊穿特性曲線,明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結(jié)構(gòu)MOSFET,表明低摻雜緩沖層可提高器件負(fù)
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IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對(duì)整流器的影響

  • 1 引言  日立igbt整流器是一種電壓型pwm整流器,具有能量雙向流動(dòng)、恒定直流電壓控制,以及高功率因數(shù)控制(cosphi;asymp;1.0)等特點(diǎn)。使用該類型整流器除了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外,還能夠減少電網(wǎng)諧波,省去
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功率介紹

概述  功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功,即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定,時(shí)間越短,功率值就越大。   求功率的公式為功率=功/時(shí)間   求功率的公式也為P=W/t =UI=I方R=U方/R   P表示功率,單位是“瓦特”,簡(jiǎn)稱“瓦”,符號(hào)是“w”。W表示功,單位是“焦耳”,簡(jiǎn)稱“焦”,符號(hào)是“J”。t表示時(shí)間,單位是“秒”,符號(hào)是“s”。因?yàn)閃=F(f 力)*s(s位移)(功的 [ 查看詳細(xì) ]
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