功率文章進(jìn)入功率技術(shù)社區(qū)

單片機(jī)中最小二乘方濾波器的向量測(cè)量和功率計(jì)算

摘要：提供了一種每周波四點(diǎn)采樣的最小二乘方濾波器，通過(guò)整型變換和查表求根等優(yōu)化算法，可在單片機(jī)中實(shí)現(xiàn)相量的 ...
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5G1413S小功率LED數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)介

5G1413S小功率NPN達(dá)林頓晶體管陣列集成電路最高輸出電壓典型值為35V,最小值為25V,集電極最大輸出電流80MA,箝位二極管反向擊穿電壓典型值80V,最小值為25V,反向漏電流50UA,最大耗散功率50MW.
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功率轉(zhuǎn)換器的光耦合器及反饋回路

設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器的挑戰(zhàn)主要原因之一即在于電路板的空間有限。若要縮小轉(zhuǎn)換器的外型尺寸，就必須提高頻率。這樣做能夠使用較小的元件。通過(guò)將切換頻率提高及讓轉(zhuǎn)換器的實(shí)體尺寸縮小，整體的效率需求也會(huì)提高。輸出電壓
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新穎小功率集成的AC-DC轉(zhuǎn)換器方案介紹

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師、電路設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新提供了一個(gè)先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)，從而有許許多多新穎的、時(shí)尚的便攜式電子產(chǎn)品呈現(xiàn)在世人面前，像PDA、3G手機(jī)、各種個(gè)人電子醫(yī)療保健裝置以及層出不窮的游
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功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
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新型非PWM功率單元在完美無(wú)諧波高壓變頻器中的應(yīng)用

1 引言　　隨著變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展，作為大容量傳動(dòng)的高壓變頻調(diào)速技術(shù)得到了廣泛應(yīng)用。高壓電動(dòng)機(jī)利用高壓變頻器可以實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)調(diào)速，既可滿(mǎn)足生產(chǎn)工藝過(guò)程對(duì)電動(dòng)機(jī)調(diào)速控制的要求，又可節(jié)約能源，降低生產(chǎn)成本［1］。
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基于單片機(jī)的非正弦波平均功率的測(cè)量

1　引　言目前，彩顯及彩電等電子設(shè)備的交直流變換電路基本上都采用開(kāi)關(guān)電源，由于開(kāi)關(guān)電源的輸入部分采用二極管整流和電容濾波的形式，致使輸入端電壓雖為正弦波，但電流波畸變?yōu)檩^大幅度的窄脈沖（圖1），輸入的電
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高功率LED的封裝結(jié)構(gòu)分析

長(zhǎng)久以來(lái)顯示應(yīng)用一直是led發(fā)光元件主要訴求，并不要求LED高散熱性，因此LED大多直接封裝于一般樹(shù)脂系基板，然而2000年以后隨著LED高輝度化與高效率化發(fā)展，尤其是藍(lán)光LED元件的發(fā)光效率獲得大幅改善，液晶、家電、汽
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使用數(shù)字熒光示波器調(diào)試功率因數(shù)校正電路

一、快捷簡(jiǎn)易地分析帶有有源功率因數(shù)校正電路的開(kāi)關(guān)電源中的波形為了獲得高功率因數(shù)，大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)都采用了有源功率因數(shù)校正電路。雖然這一設(shè)計(jì)可極大提高效率，但也給數(shù)字示波器的波形分析帶來(lái)了許多麻煩。而
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大功率LED恒流電路

目前單顆功率為1W、3W的白光LED很常見(jiàn)，特別在一些中高檔的便攜式強(qiáng)光手電筒中應(yīng)用比較廣泛。這類(lèi)手電筒一般...
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反饋設(shè)定輸出阻抗節(jié)省輸出功率

用一個(gè)串聯(lián)反饋電路來(lái)設(shè)定輸出阻抗。在40多年前，Gte Lenkurt電子公司的一名高級(jí)研究工程師John Wittman就介 ...
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某型功率和頻點(diǎn)可控的視頻發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要：根據(jù)某型電視圖像發(fā)射機(jī)檢測(cè)儀的信號(hào)標(biāo)定及日常維護(hù)調(diào)試需要，研發(fā)了一種以鎖相環(huán)技術(shù)為核心，由單片機(jī)控制的低功耗、頻點(diǎn)及功率可控的視頻發(fā)射機(jī)(信標(biāo)機(jī))。給出了基于鎖相環(huán)芯片ADF4360的信標(biāo)機(jī)的設(shè)計(jì)方法及系
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逆變電源系統(tǒng)功率因數(shù)及諧波干擾問(wèn)題的解決方案

由于對(duì)性能要求的不斷提高，特別是當(dāng)前“綠色”電源的呼聲越來(lái)越高，現(xiàn)代逆變器系統(tǒng)對(duì)功率因數(shù)校正和電流諧波抑制提出的更高的要求。本文對(duì)功率因數(shù)校正在現(xiàn)代逆變電源中的應(yīng)用作了簡(jiǎn)要介紹。分析比較了幾
關(guān)鍵字：干擾問(wèn)題解決方案諧波因數(shù) 系統(tǒng) 功率逆變電源

8位單片機(jī)在鎮(zhèn)流器和功率因數(shù)校正中的應(yīng)用

在設(shè)計(jì)用于熒光燈或高強(qiáng)度氣體放電燈(HID)的電子鎮(zhèn)流器時(shí)，除了要滿(mǎn)足通常的成本、可靠性和長(zhǎng)壽命要求以外，設(shè)計(jì)人員還必須提供增強(qiáng)的最終用戶(hù)功能，例如，遠(yuǎn)程調(diào)光控制，同時(shí)還必須滿(mǎn)足嚴(yán)格的國(guó)內(nèi)和國(guó)際照明法規(guī)要求
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基于電感開(kāi)關(guān)電源的功率開(kāi)關(guān)功耗

基于電感的開(kāi)關(guān)電源（SM-PS）包含一個(gè)功率開(kāi)關(guān)，用于控制輸入電源流經(jīng)電感的電流。大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)選擇MOSFET作開(kāi)關(guān)（圖1a中Q1），其主要優(yōu)點(diǎn)是MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)具有相對(duì)較低的功耗。

MOSFET完全打開(kāi)時(shí)的導(dǎo)
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān) 功耗功率開(kāi)關(guān)電源電感基于

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功率介紹

概述　　功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定，時(shí)間越短，功率值就越大。　　求功率的公式為功率=功/時(shí)間　　求功率的公式也為P=W/t =UI=I方R=U方/R 　　P表示功率，單位是“瓦特”，簡(jiǎn)稱(chēng)“瓦”，符號(hào)是“w”。W表示功，單位是“焦耳”，簡(jiǎn)稱(chēng)“焦”，符號(hào)是“J”。t表示時(shí)間，單位是“秒”，符號(hào)是“s”。因?yàn)閃=F（f 力）*s（s位移）（功的 [ 查看詳細(xì) ]