半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體晶圓代工“神仙打架”！

近期，半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)可謂是“喜事連連”。一方面，英特爾、三星、聯(lián)電等廠商紛紛公布財(cái)報(bào)顯示，晶圓代工業(yè)務(wù)迎來(lái)利好；另一方面，臺(tái)積電、世界先進(jìn)的對(duì)外增資案也獲得批準(zhǔn)。多家廠商代工業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月1日，英特爾公布2024年第二季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)季英特爾實(shí)現(xiàn)營(yíng)收128億美元，同比下降1%，低于市場(chǎng)分析師普遍預(yù)期的129.4億美元。盡管總體營(yíng)收不盡如人意，但在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的表現(xiàn)卻較好，數(shù)據(jù)顯示，2024年第二季度，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收43億美元，較2023年同期增長(zhǎng)4%。圖片來(lái)源：英特
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香港在全球半導(dǎo)體行業(yè)取得突破，設(shè)立下一代氮化鎵晶圓生產(chǎn)線

香港正在設(shè)立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線，這是一種新一代半導(dǎo)體材料，旨在在美中技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業(yè)占據(jù)一席之地。今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學(xué)園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗(yàn)生產(chǎn)線，目標(biāo)是到2027年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)1萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，MassPhoton創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官廖義森在周二的媒體簡(jiǎn)報(bào)會(huì)上表示。該公司專注于制造紫外線-C消毒產(chǎn)品，將在香港新晶圓生產(chǎn)線投資2億港元（2560萬(wàn)美元），并在科學(xué)園內(nèi)建立GaN技術(shù)的研發(fā)中心，HK
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新加坡淡馬錫將在美國(guó)AI、半導(dǎo)體和數(shù)據(jù)中心投資300億美元

新加坡國(guó)有投資公司淡馬錫控股將大幅增加其在美國(guó)的投資，承諾在未來(lái)五年內(nèi)投資300億美元。該公司的戰(zhàn)略將優(yōu)先考慮與AI相關(guān)的公司、半導(dǎo)體制造商和基礎(chǔ)設(shè)施企業(yè)，包括數(shù)據(jù)中心及其支持技術(shù)。隨著地緣政治緊張局勢(shì)升級(jí)，淡馬錫對(duì)在中國(guó)投資越來(lái)越謹(jǐn)慎，這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變正在發(fā)生。今年，美國(guó)已超過(guò)中國(guó)成為淡馬錫資本的最大接受者，占其投資組合的22%。淡馬錫北美負(fù)責(zé)人簡(jiǎn)·阿瑟頓（Jane Atherton）強(qiáng)調(diào)了公司對(duì)推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的領(lǐng)域的關(guān)注。她表示，美國(guó)在AI發(fā)展方面處于領(lǐng)先地位，他們?cè)谶@一領(lǐng)域看到了巨大的潛力。此外
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莫迪150億美元的芯片賭注能否將印度變成半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)？

印度總理納倫德拉·莫迪正在“全力以赴”，努力將印度轉(zhuǎn)變?yōu)槿蛐酒?jìng)賽中的競(jìng)爭(zhēng)者，但專家警告說(shuō)，印度在建立自給自足的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)之前還有很長(zhǎng)的路要走。莫迪政府在2月份批準(zhǔn)了價(jià)值150億美元的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造廠投資，包括印度本地財(cái)團(tuán)塔塔集團(tuán)（Tata Group）提出的建設(shè)該國(guó)首個(gè)主要芯片制造廠的提案。該工廠將設(shè)在莫迪的家鄉(xiāng)古吉拉特邦，預(yù)計(jì)到2026年底每月生產(chǎn)5萬(wàn)片晶圓。這項(xiàng)投資還包括與日本、臺(tái)灣和泰國(guó)公司合作開(kāi)發(fā)的組裝單元和包裝廠。塔塔集團(tuán)表示，其目標(biāo)是到2030年推動(dòng)印度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)達(dá)到1100億美元，占
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創(chuàng)新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導(dǎo)體制造

沖繩科學(xué)技術(shù)研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)的極紫外（EUV）光刻技術(shù)?；诖嗽O(shè)計(jì)的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機(jī)器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，有助于半導(dǎo)體行業(yè)變得更加環(huán)?？沙掷m(xù)。通過(guò)解決兩個(gè)以前被認(rèn)為在該領(lǐng)域不可克服的問(wèn)題，這項(xiàng)技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)。第一個(gè)問(wèn)題涉及一種僅包含兩個(gè)鏡子的全新光學(xué)投影系統(tǒng)。第二個(gè)問(wèn)題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導(dǎo)到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會(huì)阻擋光學(xué)路徑。E
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美國(guó)的半導(dǎo)體賭博：對(duì)逐漸消逝的主導(dǎo)地位的絕望抓取

美國(guó)在技術(shù)領(lǐng)域的影響力逐漸減弱，為了維持對(duì)中國(guó)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，不得不采取越來(lái)越絕望的措施。拜登政府最近推動(dòng)的嚴(yán)格的半導(dǎo)體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗，也有可能疏遠(yuǎn)重要盟友，進(jìn)而瓦解西方技術(shù)霸權(quán)的結(jié)構(gòu)。華盛頓最近試圖通過(guò)更嚴(yán)格的出口管制來(lái)加強(qiáng)對(duì)全球半導(dǎo)體貿(mào)易的控制，這表明其過(guò)去的戰(zhàn)略已告失敗。政府現(xiàn)在正在利用外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則（FDPR）作為嚴(yán)厲威脅，試圖通過(guò)脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國(guó)對(duì)使用了哪怕是最少量美國(guó)技術(shù)的外國(guó)制造產(chǎn)品實(shí)施管制，旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
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YMTC芯片制造商的首席執(zhí)行官表示，中國(guó)將在3到5年內(nèi)迎來(lái)“爆炸性”半導(dǎo)體增長(zhǎng)

一位中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高管預(yù)測(cè)，在封裝應(yīng)用和技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)支持下，中國(guó)將在未來(lái)三到五年內(nèi)迎來(lái)“爆炸性增長(zhǎng)”，為國(guó)家克服美國(guó)技術(shù)限制開(kāi)辟道路。據(jù)中國(guó)國(guó)家電視臺(tái)報(bào)道，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（CSIA）會(huì)長(zhǎng)、中國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC）負(fù)責(zé)人陳南翔表示，國(guó)家正在探索一種新的市場(chǎng)導(dǎo)向型行業(yè)模式，放棄依賴大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)的舊模式。陳南翔在接受中國(guó)中央電視臺(tái)英語(yǔ)頻道CGTN采訪時(shí)表示：“[今天的重點(diǎn)]是產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品、服務(wù)和商業(yè)模式的創(chuàng)新，這些最終必須帶來(lái)價(jià)值?！?他在接受CGTN采訪時(shí)說(shuō)，“中國(guó)的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導(dǎo)體

美國(guó)半導(dǎo)體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)，用于電動(dòng)汽車和其他應(yīng)用。與前幾代相比，該平臺(tái)可減少30%的導(dǎo)通損耗和高達(dá)50%的關(guān)斷損耗。據(jù)Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導(dǎo)通電阻，并具有短路能力，這對(duì)牽引逆變器市場(chǎng)至關(guān)重要。在電動(dòng)汽車中，逆變器將電池的直流電轉(zhuǎn)換為電動(dòng)機(jī)所需的交流電。轉(zhuǎn)換損耗和冷卻需求越低，車輛在相同電池容量下的續(xù)航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了
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歐盟和韓國(guó)合作推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)

歐盟與韓國(guó)簽署協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)。這一合作將作為歐盟和韓國(guó)數(shù)字伙伴關(guān)系的成果，共同資助四個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目。根據(jù)歐盟和韓國(guó)數(shù)字伙伴關(guān)系的安排，這些項(xiàng)目將共同籌集1200萬(wàn)歐元資金。其中一半來(lái)自歐盟的“Horizon Europe”計(jì)劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來(lái)自韓國(guó)國(guó)家研究基金會(huì)（NRF）。所選項(xiàng)目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項(xiàng)目將持續(xù)三年，旨在推進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)（將多個(gè)組件集成到一個(gè)半導(dǎo)體中）以及優(yōu)化仿生神經(jīng)技術(shù)（模仿人腦功能）。加強(qiáng)歐盟與韓國(guó)的合作將結(jié)合歐洲和韓國(guó)研究與創(chuàng)
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中國(guó)團(tuán)隊(duì)研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙

中國(guó)科學(xué)家們研發(fā)出一種超薄半導(dǎo)體材料，這一進(jìn)展可能會(huì)帶來(lái)更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學(xué)的劉開(kāi)輝、人民大學(xué)的劉燦和中國(guó)科學(xué)院物理研究所的張光宇領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)，開(kāi)發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導(dǎo)體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評(píng)議期刊《科學(xué)》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著設(shè)備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學(xué)家探討了二維（2D）過(guò)渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國(guó)計(jì)劃對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)施“嚴(yán)厲”制裁：報(bào)告

美國(guó)政府正在考慮對(duì)中國(guó)獲取先進(jìn)芯片制造工具的限制措施，這些措施甚至被一些美國(guó)盟友稱為“嚴(yán)厲”。主要提案包括應(yīng)用外國(guó)直接產(chǎn)品（FDP）規(guī)則，施壓盟友限制在中國(guó)的設(shè)備服務(wù)和維修，以及擴(kuò)大需要許可證的未核實(shí)清單的范圍。這些措施旨在阻礙中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。一個(gè)關(guān)鍵提案是應(yīng)用FDP規(guī)則，這將允許美國(guó)對(duì)包含任何美國(guó)技術(shù)的外國(guó)生產(chǎn)的物品施加控制。根據(jù)彭博社的報(bào)道，這將特別影響像東京電子和阿斯麥（ASML）這樣的公司，限制它們向中國(guó)提供先進(jìn)的晶圓制造設(shè)備（WFE）。這一措施被美國(guó)盟友視為“嚴(yán)厲”，但反映了美國(guó)政府限制中
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DARPA投資8400萬(wàn)美元用于3D軍用芯片組

五角大樓的高級(jí)研究項(xiàng)目局（DARPA）撥款8.4億美元，用于開(kāi)發(fā)美國(guó)軍方的下一代半導(dǎo)體微系統(tǒng)。這筆資金的受益者是德州電子研究所（TIE），該機(jī)構(gòu)成立于2021年，位于德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校，并作為一個(gè)由德州州政府和地方政府、芯片公司和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)組成的聯(lián)盟運(yùn)營(yíng)。TIE的研究重點(diǎn)是異構(gòu)集成技術(shù)，通常稱為芯片組——將單獨(dú)的硅片封裝在一起形成完整的芯片。AMD等公司的處理器就廣泛使用這種方法：現(xiàn)代的AMD Ryzen或Epyc處理器包括多個(gè)硅片，每個(gè)硅片包含CPU核心和IO電路。由于TIE在這一領(lǐng)域的半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
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美國(guó)：非法芯片流向俄羅斯減少，但中國(guó)和香港仍是轉(zhuǎn)運(yùn)中心

通過(guò)香港向俄羅斯運(yùn)輸?shù)母邇?yōu)先級(jí)物品（CHPL）減少了28%（2024年1月至5月）——美國(guó)商務(wù)部提供給路透社的數(shù)據(jù) 2023年通過(guò)香港/中國(guó)運(yùn)輸?shù)腘vidia產(chǎn)品達(dá)1760萬(wàn)美元——C4ADS數(shù)據(jù) 香港是全球規(guī)避制裁的“領(lǐng)先”中心——新CFHK報(bào)告高端芯片通過(guò)香港從Nvidia和Vectrawave運(yùn)出香港政府表示不會(huì)執(zhí)行單邊美國(guó)制裁
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7nm等光刻機(jī)沒(méi)有也無(wú)妨！中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)：先進(jìn)封裝是未來(lái)

7月22日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)陳南翔近日接受采訪時(shí)表示，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)仍在路上，未來(lái)一定孕育巨大成功模式?！霸?0年前，我不曾想過(guò)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能有如今的發(fā)展規(guī)模，但是在過(guò)去的20年我們可以清楚的看到，未來(lái)中國(guó)一定會(huì)有今天這樣的發(fā)展?！标惸舷璺Q，不過(guò)，當(dāng)下還不是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最好的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，中國(guó)最好的狀態(tài)正在路上。陳南翔指出，當(dāng)前看到的三星正在做的三納米和英特爾正在做的三納米都是不一樣的，有著各自的定義?！耙郧澳柖捎行У臅r(shí)候，在每一個(gè)節(jié)點(diǎn)上，大家都知道三年后如何發(fā)展、六年
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美限制對(duì)華高科技投資新規(guī)年底出臺(tái) AI半導(dǎo)體量子計(jì)算機(jī)全數(shù)封殺

受到美國(guó)即將出臺(tái)的限制華投資法案影響，許多早已在中國(guó)高科技領(lǐng)域投資的美國(guó)投資公司將面臨退出或分拆的命運(yùn)，而此項(xiàng)新法規(guī)將可能使美國(guó)資本失去參與未來(lái)半導(dǎo)體、量子計(jì)算機(jī)或人工智能（AI）等高科技發(fā)展的機(jī)會(huì)。據(jù)《芯智訊》報(bào)導(dǎo)，今年6月底美國(guó)財(cái)政部發(fā)布了「關(guān)于實(shí)施對(duì)外投資行政命令的擬議規(guī)則」（NPRM），限制美國(guó)人在中國(guó)半導(dǎo)體和微電子、量子信息技術(shù)、人工智能系統(tǒng)等領(lǐng)域的投資。該擬議規(guī)則目前正在征求意見(jiàn)，預(yù)計(jì)最終法規(guī)將在2024年底前出臺(tái)。法令出臺(tái)后，一些仍在中國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)投資的美國(guó)企業(yè)可能要被迫剝離他們?cè)谥袊?guó)高科技
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]