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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 摩爾定律

失去半導(dǎo)體界頭把交椅 英特爾過去十年錯(cuò)過了什么？

  • 從1968年創(chuàng)立，到今天馬上攢夠半個(gè)世紀(jì)歷史的Intel，已經(jīng)主導(dǎo)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)40年的發(fā)展軌跡。但是現(xiàn)在，接二連三的負(fù)面消息，讓人感到這家公司有點(diǎn)危機(jī)四伏、老氣橫秋了。
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解析半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn) 尋找摩爾定律的曙光

  • 任何一個(gè)新技術(shù)都會(huì)帶來風(fēng)險(xiǎn)，摩爾定律也在面臨巨大挑戰(zhàn)， 我們無法預(yù)測(cè)“后摩爾定律”時(shí)代的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)怎樣發(fā)展?但是如果新技術(shù)能夠確保摩爾定律繼續(xù)走下去，我們就能有效地避免半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體下滑。
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下一代5nm 2D材料可望突破摩爾定律限制？

  • 　　Imec 開發(fā)下一代 5nm 2D 通道 FET 架構(gòu)，證實(shí)采用 2D 非等向性材料可讓摩爾定律延續(xù)到超越 5nm 節(jié)點(diǎn)… 　　根據(jù)比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec指出，設(shè)計(jì)人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore's Law)擴(kuò)展到超越5納米(nm)節(jié)點(diǎn)。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術(shù)論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。 　　 　　Imec開發(fā)的下一代5nm 2D通道
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半導(dǎo)體耦合多量子點(diǎn)量子比特器件研究取得重要進(jìn)展

  • 　　在不遠(yuǎn)的將來，摩爾定律所預(yù)示的微電子器件的尺寸將微縮到一系列物理極限，這一技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)科研人員利用納米技術(shù)尋求一個(gè)完全基于量子效應(yīng)的信息處理方案。經(jīng)過近二十年的發(fā)展，半導(dǎo)體量子點(diǎn)自旋比特固態(tài)器件以其可調(diào)控性和可擴(kuò)展性成為最具應(yīng)用潛力的固態(tài)量子計(jì)算方案之一，目前已成為以凝聚態(tài)物理為背景，融合了凝聚態(tài)理論、量子物理、納米加工技術(shù)、納米電子學(xué)、低溫技術(shù)、半導(dǎo)體器件工藝等多個(gè)研究方向的前沿交叉研究領(lǐng)域。 　　近日，北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、固態(tài)量子器件北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“千人計(jì)劃”教授
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摩爾定律失效 誰能扛起芯片產(chǎn)業(yè)的遠(yuǎn)大前程

  • 五十多年來，摩爾定律一直有效，如今堅(jiān)守Tick-Tock策略多年的英特爾已經(jīng)改變策略，制程頭一次改為三代一升級(jí)，這似乎預(yù)示著摩爾定律已經(jīng)開始失效。作為芯片行業(yè)龍頭老大的英特爾尚且如此，芯片的未來之路又在何方呢?
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摩爾定律能“活”到2025年以后 中國半導(dǎo)體趕超有望

  • 　　在摩爾定律依然延續(xù)的今天，中國IC制造工藝與世界先進(jìn)工藝如何縮小，這是不得不思考的問題。IMEC中國區(qū)總裁丁輝文近日指出，半導(dǎo)體工藝尺寸的縮小和摩爾定律仍能持續(xù)發(fā)展到2025年以后，中國半導(dǎo)體若能善用國際和國內(nèi)資源，有機(jī)會(huì)在各領(lǐng)域趕超世界先進(jìn)水平。 　　多元化應(yīng)用需要多元化半導(dǎo)體技術(shù) 　　丁輝文認(rèn)為，講摩爾定律，其實(shí)首先是應(yīng)用推動(dòng)了芯片的成長，而在應(yīng)用當(dāng)中，主要是IoT、移動(dòng)通訊、云端服務(wù)這三大應(yīng)用市場(chǎng)。這三大應(yīng)用對(duì)半導(dǎo)體器件有不同的要求：一是IoT應(yīng)用，功耗在1mW到100mW;二是移動(dòng)通訊部分
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摩爾定律極限重啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  • 盡管摩爾定律無法再以相同的步調(diào)前進(jìn)，但芯片、系統(tǒng)和軟件技術(shù)仍將持續(xù)進(jìn)展…
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模擬技術(shù)的困境

  • 　　在這樣一個(gè)對(duì)數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術(shù)更多地用來處理對(duì)它們不利的過程。但這個(gè)現(xiàn)象可能正在改變?！　∥覀兩钤谝粋€(gè)模擬世界中，但數(shù)字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)。混合信號(hào)解決方案過去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號(hào)處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應(yīng)用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉(zhuǎn)換過程?！　∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對(duì)模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵

  • 　　臺(tái)積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對(duì)解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問題仍是相對(duì)有力的解決方案。 　　每一季的臺(tái)積電法說會(huì)上，張忠謀董事長或是共同執(zhí)行長對(duì)于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì)對(duì)臺(tái)下觀眾做一專門的報(bào)告，法人代表對(duì)于EUV的導(dǎo)入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對(duì)于臺(tái)積電未來發(fā)展甚至
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如何對(duì)筆記本電腦處理器進(jìn)行散熱？

  • 向更高性能微處理器單元(MPU)的不斷演變徹底改變了計(jì)算機(jī)的大小設(shè)計(jì)。這種演變通常遵循著摩爾定律，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的晶體管密度每?jī)赡攴槐叮瑫r(shí)性能一代比一代高。性能的提高使得微處理器芯片的功耗和功率密度也不斷增加。
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摩爾定律之后 存儲(chǔ)器發(fā)展要靠大數(shù)據(jù)、AI？

  • 　　半導(dǎo)體供應(yīng)鏈存儲(chǔ)器缺貨絕對(duì)是橫貫2017年的主調(diào)，但除了量變，大數(shù)據(jù)中心、AI深度學(xué)習(xí)運(yùn)算帶來對(duì)CPU與AI處理器的運(yùn)算速度、存儲(chǔ)容量高門檻要求，也正在改變整個(gè)存儲(chǔ)器乃至于運(yùn)算基礎(chǔ)核心架構(gòu)。 　　在近日一場(chǎng)GSA存儲(chǔ)器高峰論壇上，半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)平臺(tái)、服務(wù)器領(lǐng)域與會(huì)人士對(duì)上述議題展開熱議。 　　西數(shù)(Western Digital)董事長兼COO Mike Cordano提到，未來存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然機(jī)會(huì)巨大，占整個(gè)IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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失效的摩爾定律：半導(dǎo)體整合潮加速！

  • 隨著半導(dǎo)體制程越來越高端，摩爾定律實(shí)際上早就已經(jīng)走向死亡，而這也衍生出了另一個(gè)現(xiàn)象，即為生產(chǎn)方面的技術(shù)增長放緩，是故設(shè)計(jì)和軟件方面的能力就顯得更加重要，間接加速了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整合。
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芯片戰(zhàn)爭(zhēng)2.0：“失效”的摩爾定律

  • 對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)而言，過去的一年都是極具挑戰(zhàn)的一年。
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科學(xué)家造出“全球最薄”納米線

  • 　　幾十年來，“摩爾定律”一直是芯片制造業(yè)界的“金科玉律”—— 當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而隨著納米技術(shù)逼近單原子的極限，近年來芯片行業(yè)的發(fā)展速度已經(jīng)有所放緩。好消息是，劍橋和華威大學(xué)的研究人員們，已經(jīng)直接跳到了“邏輯的終點(diǎn)”—— 將電線縮小到單原子串的寬度! 　　通過將碲(tellurium)注入碳納米管，研究
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。 　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律介紹

摩爾定律概述 　　摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。摩爾定律是由英特爾(Intel)名譽(yù)董事長戈登·摩爾（Gordon Moore）經(jīng)過長期觀察發(fā)現(xiàn)得之。 　　計(jì)算機(jī)第一定律——摩爾定律Moore定律1965年，戈登·摩爾（GordonMoore）準(zhǔn)備一個(gè)關(guān)于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢(shì)的報(bào)告。他整理了一份觀察資料。在他開始繪制數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)現(xiàn)了一個(gè)驚人的 [ 查看詳細(xì) ]

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