碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

步進(jìn)電機(jī)的MOSFET管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

H橋功率驅(qū)動(dòng)電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機(jī)、交流電機(jī)及直流電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。永磁步
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意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。　　電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時(shí)，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放，人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。　　然而在電力電子里面，最重要的一個(gè)元件就是IGBT。沒有IGBT就不會(huì)有高鐵的便捷生活。　　　　一說起IGBT，半導(dǎo)體**的人都以為不就是一個(gè)分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國(guó)家“02專項(xiàng)”的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
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住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

　　一般來講，尋求更大生活空間的居民會(huì)放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因?yàn)槟抢锓孔痈?，院子更寬敞。同樣，?dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí)，他們一般會(huì)放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個(gè)更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對(duì)的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會(huì)占據(jù)更多不動(dòng)產(chǎn)，更多的電路板空間。　　　　直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會(huì)依賴帶外部MOSF
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關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)大合集

　　下面對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。　　對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
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意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車電動(dòng)化進(jìn)程

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)在混動(dòng)汽車和電動(dòng)汽車(EV，Electric Vehicles)市場(chǎng)發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時(shí)還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認(rèn)證時(shí)間表。　　電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車通過提高電能利用率來延長(zhǎng)續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長(zhǎng)、充電速度更快的電動(dòng)和混動(dòng)汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對(duì)汽車所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
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英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴(kuò)大緊湊型門級(jí)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品陣容

　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級(jí)驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！　∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動(dòng)高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計(jì)。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動(dòng)汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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理解超級(jí)結(jié)技術(shù)

　　基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會(huì)產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級(jí)結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計(jì)工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺(tái)的特征，以便充分理解和使用超級(jí)結(jié)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。　　為了理解兩種技術(shù)的差異，我
關(guān)鍵字： MOSFET 超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)

意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計(jì)人員提高計(jì)算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)?！　∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長(zhǎng)，運(yùn)行云計(jì)算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來越高，人們對(duì)這些設(shè)備能耗最小化的需求越來越多
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

　　MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?　　三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。　　MOS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
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解析IGBT的工作原理及作用

　　本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f，IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。　
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【E問E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”？

　　MOSFET的擊穿有哪幾種?　　Source、Drain、Gate　　場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G　　(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對(duì)漏極電壓擊穿)　　先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate?！　?) Drain->Source穿通擊穿:　　這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
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如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障

　　為了降低能源成本，設(shè)備設(shè)計(jì)人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設(shè)計(jì)人員通過增大開關(guān)頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢(shì)如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關(guān)，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個(gè)問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。　　初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

　　為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來完成。　　圖1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個(gè)電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護(hù)?！　?nbsp;&n
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功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

　　功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計(jì)類型進(jìn)行了簡(jiǎn)單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會(huì)就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式，即有隔離變壓器存在的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)行簡(jiǎn)要分析?！　∮懈綦x變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路作為一種比較常見的驅(qū)動(dòng)電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計(jì)中應(yīng)用較多，其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中，V1、V2為互補(bǔ)工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐?！　?nbsp;
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