碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體提升車(chē)用40V MOSFET的噪聲性能和能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)發(fā)布兩款40V汽車(chē)級(jí)MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動(dòng)力總成、車(chē)身或底盤(pán)和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。　　意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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關(guān)于MOS管失效，說(shuō)白了就這六大原因

　　MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。　　目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
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基于TPS2491的熱插拔保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要：文章對(duì)主流熱插拔控制策略進(jìn)行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結(jié)構(gòu)后，以24V電源背板總線(xiàn)數(shù)據(jù)采集卡為設(shè)計(jì)實(shí)例，詳細(xì)介紹了基于TPS2491進(jìn)行熱插拔保護(hù)電路的設(shè)計(jì)過(guò)程，并對(duì)設(shè)計(jì)電路進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證，
關(guān)鍵字： TPS2491 熱插拔保護(hù)電路 MOSFET

半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移，這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車(chē)、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無(wú)線(xiàn)充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

　　英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專(zhuān)門(mén)針對(duì)要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽(yáng)能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。　　更環(huán)保的技術(shù) 　　英飛凌堅(jiān)持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
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東芝推出適用于移動(dòng)設(shè)備中負(fù)載開(kāi)關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET

　　東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。　　新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么？

大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但
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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

　　近日在中國(guó)深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂(lè)系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“您碰巧在設(shè)計(jì)中用過(guò)60V的負(fù)載開(kāi)關(guān)嗎?”我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò)，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過(guò)空間受限的問(wèn)題嗎?”我問(wèn)。他確實(shí)碰到過(guò)，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
關(guān)鍵字： SOT-23 MOSFET

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
關(guān)鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原理

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱(chēng)電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱(chēng)電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
關(guān)鍵字： MOSFET VP-P 電壓

微芯有刷直流電機(jī)控制方案

有刷直流電機(jī)通過(guò)電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開(kāi)，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式？

伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
關(guān)鍵字：氮化鎵碳化硅

被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

　　看到這個(gè)主題，可能有些工程師會(huì)問(wèn)：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)，來(lái)理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱(chēng)BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，所能施加的最大的額定電壓，測(cè)試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問(wèn)題
關(guān)鍵字： MOSFET BVDSS

Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿(mǎn)足最新的通信、服務(wù)器、電動(dòng)車(chē)(EV)充電器和太陽(yáng)能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計(jì)者更大的靈活性，特別是對(duì)于尺寸受限的設(shè)計(jì)。　　Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)

　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級(jí)結(jié)技術(shù)，兼具出類(lèi)拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個(gè)新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿(mǎn)足性能、易于設(shè)計(jì)和性?xún)r(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)?，這種拓?fù)涑Ｒ?jiàn)于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。　　　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測(cè)試的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET