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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動電路知識分享

  • 　　功率器件MOSFET是目前應用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學習時的重點方向。如果設計得當，MOSFET驅(qū)動電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動設計，本文在這里將會分享一種比較常見的MOSFET驅(qū)動電路設計方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！　∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動電路，這一電路系統(tǒng)的特點是簡單可靠，且設計成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設備。圖1(b)所示驅(qū)動電路開關(guān)速度很快，驅(qū)動能力強，為防
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Diodes 40V車用MOSFET適用于電機控制應用

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過750W的高功率無刷直流電機應用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無刷直流應用，包括備用泵和暖通空調(diào)系統(tǒng)?！　MTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無刷直流電機控制應用的嚴格要求，
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Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

  • 　　全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅(qū)動和其他應用
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  • 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。　　二、開關(guān)管MOSFET的功耗分析　　    　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動
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【E課堂】MOSFET管驅(qū)動電路基礎總結(jié)

  • 　　關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎的一點總結(jié)，其中參考了一些資料?！　≡谑褂肕OS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的?！　?、MOS管種類和結(jié)構(gòu)　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇

  • 　　進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設計人員，你還會有一定的預算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 　　   　　圖 1 傳導損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 　　首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關(guān)參數(shù)

  • 　　最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。 　　另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

  • 　　在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡的各種電壓代表各個溫度。　　本文中，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進行了對比?！　?nbsp;   　　圖 1 將散熱容加到&nb
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

  • 　　在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。　　熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結(jié)果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設備免受過應力損害。圖 1 所示 
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—連續(xù)電流額定值

  • 　　今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?！　±纾蠖鄶?shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復合材料的熱降
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場效應管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗

  • 　　本文總結(jié)了場效應管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗　　一、用指針式萬用表對場效應管進行判別　　(1)用測電阻法判別結(jié)型場效應管的電極　　根據(jù)場效應管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值

  • 　　在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關(guān)時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 　　自從20世紀80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
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一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器

  • 提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅(qū)動能力較差，設計驅(qū)動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經(jīng)濟適用、體積較小，輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
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意法半導體（ST）推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內(nèi)置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?！　?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
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如何通過配置負載點轉(zhuǎn)換器提供負電壓或隔離輸出電壓

  • 　　在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求。　　TPS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
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碳化硅 mosfet介紹

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