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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

  • 用作功率開關(guān)的MOSFET
    隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動變?yōu)殡妷候?qū)動，加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
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Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 　　新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率

  • 　　引言 　　通信電路板常常采用負(fù)載點(diǎn)(PoL)DC-DC轉(zhuǎn)換器來為數(shù)字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個48V的背板采用中間總線架構(gòu)(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負(fù)載點(diǎn)(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統(tǒng)方案包含一個分立式PoL，該P(yáng)oL是以分立的方式使用控制器、驅(qū)動器和MOSFET。由于該方案需要額外的設(shè)計(jì)和制造時間，故半導(dǎo)體供應(yīng)商目前開始轉(zhuǎn)而采用完全集成的調(diào)節(jié)器解決方案，以期縮短上市時間，減小PCB空間，并使終端應(yīng)用達(dá)到更高的效率水平。本
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英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元

  • 　　據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結(jié)束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。 　　第二財季凈利潤好于分析師預(yù)期，營收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計(jì)，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實(shí)現(xiàn)盈利，而在那之前10個季度該公司累計(jì)虧損額高達(dá)39億歐元。 　　英飛凌上調(diào)了
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Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。 　　新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進(jìn)的技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實(shí)現(xiàn)的最低導(dǎo)通電阻減小了一半：在4.5V、2
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英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。 　　英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護(hù)器

  • 　　Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護(hù)器MAX14544/MAX14545，有效避免主機(jī)因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結(jié)合開關(guān)斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設(shè)供電端口保護(hù)的理想選擇。目標(biāo)應(yīng)用包括：蜂窩電話、MID (移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、電子書及其它外掛配件的便攜設(shè)備。 　　MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預(yù)置門限之間選擇，反向限流值設(shè)置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無鉛封裝，工作在-
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NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車功率MOSFET

  • 　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP?Semiconductors)近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。 　　隨著對電子應(yīng)用不斷增長的消費(fèi)需求，汽車
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 　　飛兆半
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 　　兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。 　　飛兆半
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今年二季度半導(dǎo)體元件價格漲幅將超10%

  • 　　據(jù)來自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和DRAM在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體元件供應(yīng)比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿負(fù)荷運(yùn)行，預(yù)計(jì)短期內(nèi)這種情況不會得到緩解。 　　據(jù)臺灣媒體報道，消息人士指出，預(yù)計(jì)在今年第二季度，半導(dǎo)體元件的價格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價格已經(jīng)平均提高了5-10%。 　　另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應(yīng)不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價格漲幅最大，在今年余下幾個月中，
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設(shè)計(jì)更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器

  • 　　準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時導(dǎo)通，從而減小開關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。 　　準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器采用不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)工作時，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節(jié)點(diǎn)電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點(diǎn)的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)，Lp與C
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PI 推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC

  • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項(xiàng)安全標(biāo)準(zhǔn)。 　　X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構(gòu)成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進(jìn)行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機(jī)輸入功耗的重要因素。 　　CAPZero與放電電容串聯(lián)
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IR 推出新型25V DirectFET 芯片組

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 　　IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

  • 　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達(dá)致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  肖特基二極管  
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碳化硅 mosfet介紹

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