英飛凌文章進(jìn)入英飛凌技術(shù)社區(qū)

英飛凌與臺(tái)達(dá)雙強(qiáng)連手：以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務(wù)器及電競(jìng)電源市場(chǎng)

數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢(shì)推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨(dú)特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長(zhǎng)期致力于創(chuàng)新的半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強(qiáng)化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應(yīng)用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
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英飛凌推出高度集成的MOTIX?電機(jī)控制器和三相柵極驅(qū)動(dòng)器

憑借其眾多優(yōu)點(diǎn)，三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)正在成為設(shè)計(jì)現(xiàn)代化電池供電型電機(jī)產(chǎn)品的首要選擇。然而，為了讓產(chǎn)品符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)并延長(zhǎng)電池的使用壽命，需要縮小產(chǎn)品的尺寸并減輕重量，這給產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)。為了幫助設(shè)計(jì)師滿足終端市場(chǎng)的需求，英飛凌科技股份公司推出了完全可編程的電機(jī)控制器MOTIX? IMD700A和IMD701A。它們采用9 x 9 mm2 64引腳VQFN封裝，能夠讓無(wú)線電動(dòng)工具、園藝用品、無(wú)人機(jī)、電動(dòng)自行車以及自動(dòng)導(dǎo)引車擁有更高的集成度以及功率密度，從而滿足用戶需求。?MOTI
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英飛凌與Aqara綠米攜手推出搭載毫米波雷達(dá)的智能家居解決方案

人體存在感知是智能家居中極其重要的一項(xiàng)應(yīng)用技術(shù)，智能家居設(shè)備通過(guò)精準(zhǔn)地感知人體存在和狀態(tài)，做出相應(yīng)的響應(yīng)或互動(dòng)。但長(zhǎng)期以來(lái)，人體傳感器卻普遍存在不夠精準(zhǔn)、無(wú)法對(duì)靜態(tài)人體進(jìn)行監(jiān)測(cè)等問題。針對(duì)這一問題，全球半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技（簡(jiǎn)稱英飛凌）與全屋智能領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Aqara綠米合作，推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人體存在解決方案，即Aqara人體存在傳感器FP1。該產(chǎn)品已在Aqara電商及線下Aqara Home智能家居體驗(yàn)館正式上市。它搭載了英飛凌高度精準(zhǔn)的XENSIV?毫
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仿真看世界之SiC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題

這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇。2022，讓我們?cè)俅瘟牧脑赟iC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。這篇微信文章，其實(shí)構(gòu)思已久。為了有所鋪墊，已在2020和2021發(fā)布了兩篇基礎(chǔ)篇：● 2020《仿真看世界之SiC單管的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET單管并聯(lián)均流特性》2022，讓我們?cè)俅瘟牧脑赟iC單管并聯(lián)中的寄生導(dǎo)通問題。特別提醒：仿真只是工具，仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn)，仿真只供參考。在展開
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關(guān)鍵器件，其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小，也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。本文從變頻器的應(yīng)用特點(diǎn)出發(fā)，結(jié)合第七代IGBT的低飽和壓降和最大運(yùn)行結(jié)溫等特點(diǎn)，介紹了第七代IGBT如何助力變頻器應(yīng)用。本文通過(guò)分析變頻器的損耗組成，并通過(guò)熱仿真對(duì)比第四代IGBT和第七代IGBT的性能，最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證結(jié)論。相同工況下IGBT7損耗和結(jié)溫明顯低于IGBT4，這樣可以減小變頻器的體積或是
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是，這對(duì)于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵(lì)設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路。為此，本文介紹了
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如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性

CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能以及關(guān)鍵影響參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo)。在下面的文章中，我們將為您提供更多關(guān)于這方面的見解。溫度對(duì)CoolSiC? MOSFET導(dǎo)通特性的影響MOSFET靜態(tài)輸出特性的關(guān)鍵參數(shù)是漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(on)。我們定義了CoolSiC? MOSFET不同溫度下的輸出特性曲線，如圖1左側(cè)所述。閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理，隨著溫度的
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英飛凌OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)珠聯(lián)璧合，輕松安全地將物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端

在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中，信任機(jī)制是設(shè)備與云服務(wù)之間進(jìn)行各種交互的基石。因此，必須為每臺(tái)設(shè)備提供唯一的可信身份標(biāo)識(shí)，以便在設(shè)備連接入網(wǎng)時(shí)進(jìn)行安全身份認(rèn)證。與此同時(shí)，為成千上萬(wàn)臺(tái)設(shè)備提供安全I(xiàn)D，對(duì)OEM廠商來(lái)說(shuō)是一個(gè)不小的挑戰(zhàn)。為了幫助OEM廠商應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將OPTIGA? Trust M Express安全芯片與CIRRENT? Cloud ID服務(wù)相結(jié)合，推出了一款高端安全解決方案，為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備大規(guī)模接入云端提供硬件信任錨。 &
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

過(guò)去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長(zhǎng)期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過(guò)去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長(zhǎng)期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過(guò)不斷研究和持續(xù)優(yōu)化，現(xiàn)在，全新推出的CoolSiC? MO
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英飛凌推出高分辨率車用3D影像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智慧座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技（Infineon）與專注于3D ToF（飛時(shí)測(cè)距）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3影像傳感器，該傳感器符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。英飛凌3D感測(cè)業(yè)務(wù)副總裁Christian Herzum表示，在針對(duì)行動(dòng)消費(fèi)終端的3D傳感器領(lǐng)域，英飛凌一直處
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢(shì)

現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會(huì)從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。電平轉(zhuǎn)移高壓驅(qū)動(dòng)芯片有兩個(gè)主要組成部分：1 電平轉(zhuǎn)移電路，其作用是把以COM腳為參考的輸入邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)換成以VS腳為參考的輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。2 自舉二極管，對(duì)浮地端的供電電容進(jìn)行充電。對(duì)于這兩部分電路，英飛凌的SOI驅(qū)動(dòng)芯
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英飛凌推出AIROC? CYW20820藍(lán)牙?和低功耗藍(lán)牙?片上系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)靈活、低功耗及高性能的連接

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將推出AIROC? CYW20820藍(lán)牙? 和低功耗藍(lán)牙?片上系統(tǒng)（SoC），進(jìn)一步壯大其AIROC藍(lán)牙系列的產(chǎn)品陣容。AIROC CYW20820 藍(lán)牙和低功耗藍(lán)牙片上系統(tǒng)，專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，符合藍(lán)牙5.2核心規(guī)范。它可支持家居自動(dòng)化以及傳感器的豐富應(yīng)用場(chǎng)景，包括醫(yī)療、家居、安防、工業(yè)、照明、藍(lán)牙Mesh網(wǎng)絡(luò)以及其他需要采用低功耗藍(lán)牙或雙模藍(lán)牙連接的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。 AIROC? CYW20820 A
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英飛凌140W(28V/5A) USB-PD3.1 高功率密度方案

隨著市場(chǎng)對(duì)筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對(duì)28V輸出，推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長(zhǎng)期以來(lái)的100W功率限制，最高功率可達(dá)到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。英飛凌USB-PD 3.1 EPR的140W高功率密度解決方案● 采用混合反激（HFB）拓?fù)?支持5-28V寬壓輸出● 可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產(chǎn)品定位需求● 相比傳統(tǒng)QR,ACF
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊(cè)是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)15V時(shí)，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會(huì)損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時(shí)間，驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
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PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算

在通用變頻器或伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級(jí)來(lái)合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動(dòng)很小，因此其通常不會(huì)是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時(shí)也不會(huì)特意去計(jì)算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機(jī)型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來(lái)做系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)，這時(shí)就需要計(jì)算整流橋的損耗。而目
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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財(cái)年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)71.9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無(wú)線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計(jì)算機(jī)安全以及芯片卡市場(chǎng)提供先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項(xiàng)專利。自從1996年在無(wú)錫建立 [ 查看詳細(xì) ]