英飛凌文章進(jìn)入英飛凌技術(shù)社區(qū)

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業(yè)1200V SiC MOSFET的M1H系列產(chǎn)品與應(yīng)用為參考，其他不同電壓等級或不同廠家的SiC產(chǎn)品，不盡相同。在SiC產(chǎn)品的規(guī)格書中，都會有SiC Vgs電壓范圍和推薦電壓區(qū)間(如圖1所示)，以供大家在實(shí)際應(yīng)用中參考。但是推薦非強(qiáng)制，
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絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列

在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動IC的技術(shù)經(jīng)過長期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對于傳統(tǒng)的導(dǎo)電型的硅襯底，它有三層結(jié)構(gòu)，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機(jī)械支撐，第二層是薄的二氧化硅層，二氧化硅是一種絕緣體，從而形成一層絕緣結(jié)構(gòu)，第三層是薄的單晶硅頂層，在這一層進(jìn)行電路的刻蝕，形成驅(qū)動IC的工作層。圖１.絕緣
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英飛凌推出新一代高性能XENSIV MEMS麥克風(fēng)

英飛凌科技（Infineon）發(fā)布了新一代XENSIV MEMS麥克風(fēng)。新產(chǎn)品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款型號，進(jìn)一步壯大了英飛凌的麥克風(fēng)產(chǎn)品組合，同時也為業(yè)界樹立了新標(biāo)竿。這些具有可選功率模式的MEMS麥克風(fēng)適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品，例如具有主動降噪（ANC）功能的耳機(jī)、TWS耳機(jī)、具有波束成形功能的會議設(shè)備、筆記本電腦、平板計算機(jī)或具有語音交互功能的智能音箱。此外該產(chǎn)品還適用于某些工業(yè)類應(yīng)用，例如預(yù)側(cè)性維護(hù)和安全等。這些高性能MEMS麥克風(fēng)旨在以更高的精度和音質(zhì)擷取音頻訊
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英搏爾率先采用英飛凌750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2組件

海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整合。英搏爾MCU技術(shù)總監(jiān)劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設(shè)計電機(jī)控制單元（MCU）的技術(shù)路線，不斷開發(fā)出高性價比的產(chǎn)品，從而始終保持
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英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2器件

中國領(lǐng)先的車載逆變器供應(yīng)商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠?yàn)樵O(shè)計師提供更大的自由度，有助于實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成。?? ? ? ? &
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英飛凌 BCR CYPD3177之100W PD控制方案

隨著PD產(chǎn)品在市場的日趨成長，Type-C連接口的應(yīng)用越來越廣泛，PD協(xié)議是以Type-C作為載體傳輸資料或充電，也就是說PD協(xié)議需要搭配Type-C界面來實(shí)現(xiàn)。常見筆電標(biāo)配的電源供應(yīng)器由于體積較大，加上不好收納的電源線，影響攜帶時的便利性，因此利用大功率的PD充電器加上誘騙器即能快速解決問題。具有智慧快充誘騙功能的PD電源，可解決USB輸入口供電不足的問題并結(jié)合快充功能的充電器使用，達(dá)到輸出功率更大，效率更高，提高其實(shí)用性，并可利用不同的PD電源產(chǎn)品利用誘騙器來提供給無Type C界面的產(chǎn)品使用，既可提
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安富利：英飛凌(INFINEON) OPTIGA為物聯(lián)網(wǎng)潛力保駕護(hù)航

　　物聯(lián)網(wǎng)提升生活品質(zhì)的潛力有賴于無數(shù)設(shè)備之間分享、傳輸和訪問海量信息的能力。不過這種便利卻增加了數(shù)據(jù)泄露的風(fēng)險，因此需要強(qiáng)大的安全技術(shù)，以保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。這就是為什么安富利為您推介英飛凌，實(shí)事可以證明其解決方案將對您的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計非常有價值。　　英飛凌OPTIGA物聯(lián)網(wǎng)安全解決方案在物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)參考設(shè)計中并入了主管安全的器件。它還包括了使用意法半導(dǎo)體(ST Micro)傳感器的傳感器中樞和圍繞Dialog Semi設(shè)計的低功耗藍(lán)牙模塊，通用性極強(qiáng)。令人印象深刻的是，英飛凌OPTIGA Trust產(chǎn)品為在安全應(yīng)
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如何計算驅(qū)動芯片的desat保護(hù)時間

SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動芯片退飽和檢測原理，芯片內(nèi)置一個恒流源。功率開關(guān)器件在門極電壓一定時，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升至母線電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當(dāng)上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發(fā)驅(qū)動器關(guān)閉輸出。
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當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC

導(dǎo)讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是常見的設(shè)計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機(jī)線包發(fā)熱和電機(jī)軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀

IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時反向恢復(fù)特性也會變快。什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著I
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IGBT門極驅(qū)動到底要不要負(fù)壓

【導(dǎo)讀】先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān)，在實(shí)際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG電容產(chǎn)生分布電流灌入門極，使門極電壓抬升，可能導(dǎo)致原本處于關(guān)斷狀態(tài)的IGBT開通，如圖1所示。電流變化di/dt可以通過發(fā)射極和驅(qū)動回路共用的
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英飛凌深耕傳感技術(shù) 助力健康檢測

　　在疫情反復(fù)和隔離封閉的環(huán)境下，如何自主的檢測身體和環(huán)境狀態(tài)并進(jìn)行改善和調(diào)整成為當(dāng)下人們的熱點(diǎn)話題。近日，英飛凌召開“智”在健康媒體會，根據(jù)英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部應(yīng)用市場總監(jiān)李國豪先生的介紹，英飛凌目前有4類廣泛應(yīng)用的傳感器。第一種是MEMS類產(chǎn)品，在手機(jī)、耳機(jī)、智能音箱上都有廣泛的應(yīng)用。第二類是3D立體毫米波雷達(dá)傳感器，主要應(yīng)用在汽車領(lǐng)域，雷達(dá)傳感器可在較遠(yuǎn)距離偵測到是否有障礙物。第三類傳感器是3D ToF飛行光傳感器，它能夠偵測到人體或者是物體的距離、深度，可以應(yīng)用在手機(jī)面容解鎖、面
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貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學(xué) (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風(fēng)檢測傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學(xué)濾波器）、用
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如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通的機(jī)制，并進(jìn)一步指出為了避免寄生導(dǎo)通，在選取MOSFET時應(yīng)遵循什么準(zhǔn)則。
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聚焦醫(yī)療照護(hù)應(yīng)用英飛凌發(fā)布多款傳感器方案

英飛凌(Infineon)今日發(fā)表了一系列的先進(jìn)傳感器產(chǎn)品，包含毫米波雷達(dá)（mmWave Radar）感測、ToF感測和二氧化碳感測等，并聚焦目前正快速成長的醫(yī)療照護(hù)應(yīng)用領(lǐng)域，如智能手表、手環(huán)、眼鏡等。此外，包含汽車、工業(yè)、智慧家庭、智慧建筑，以及新興的元宇宙ARVR等應(yīng)用也是鎖定的市場。此次發(fā)表的傳感器方案系隸屬于英飛凌XENSIV感測技術(shù)系列中的產(chǎn)品，其中動態(tài)偵測器BGT60LTR11AIP，以及先進(jìn)傳感器BGT60TR13C皆是采用毫米波雷達(dá)的解決方案，并使用AiP的天線封裝技術(shù)，能縮短系統(tǒng)開發(fā)商的
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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達(dá)71.9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計算機(jī)安全以及芯片卡市場提供先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項(xiàng)專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細(xì) ]