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ASML公司開(kāi)撕美國(guó)？光源技術(shù)不是根源，不交付EUV光刻機(jī)另有原因

  • ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國(guó)。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī)。然而，ASML公司卻遲遲沒(méi)有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，而一部EUV光刻機(jī)上就有超過(guò)10w的精密零件，各方面的技術(shù)也是來(lái)自全世界各國(guó)的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機(jī)一直是供不應(yīng)求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機(jī)，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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俄羅斯投資6.7億盧布，開(kāi)發(fā)新型的光刻機(jī)，性能或?qū)⒊紼UV光刻機(jī)

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雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復(fù)生產(chǎn)

  • 通用汽車(chē)(GM)已經(jīng)恢復(fù)了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現(xiàn)在它們可以獲得新電池組的供應(yīng)，而這些電池組應(yīng)該不會(huì)有火災(zāi)隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災(zāi)而被召回，該次召回影響到了所有的車(chē)型，導(dǎo)致Bolt EV和EUV汽車(chē)的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結(jié)?！拔覀兊哪繕?biāo)是恢復(fù)并坦率地說(shuō)超過(guò)業(yè)務(wù)指標(biāo)，”雪佛蘭營(yíng)銷(xiāo)副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話(huà)會(huì)議上說(shuō)道。Bolt的復(fù)出計(jì)劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開(kāi)始）、將在MLB開(kāi)幕日投放的新電視
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阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國(guó)大陸“是政府們的選擇”

  • （原標(biāo)題：光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO：不賣(mài)EUV給中國(guó)大陸“是政府們的選擇”）【文/觀(guān)察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協(xié)定》成員國(guó)）的選擇?！比涨埃商m光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國(guó)大陸出口EUV光刻機(jī)一事解釋道。他今年1月曾表示，中國(guó)不太可能獨(dú)立復(fù)制出（replicate）頂尖的光刻技術(shù)，但也別那么絕對(duì)，“他們肯定會(huì)嘗試”。觀(guān)察者網(wǎng)注意到，由于最先進(jìn)的EUV設(shè)備無(wú)法向中國(guó)大陸出口，溫彼得自2021年以來(lái)曾多次發(fā)聲。2021年4月，他曾喊話(huà)美國(guó)政府，對(duì)華出口管制不僅不能阻礙中國(guó)
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EUV提前半年問(wèn)世：Intel先進(jìn)工藝不跳票

  • 前不久的Intel投資者會(huì)議上，英特爾發(fā)布了先進(jìn)工藝的路線(xiàn)圖，從去年的Intel 7工藝開(kāi)始一路推進(jìn)到Intel 18A工藝，酷睿處理器從12代一直持續(xù)到16代酷睿，甚至17代酷睿都在準(zhǔn)備中了，2025年上市。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?不僅工藝規(guī)劃的很好，而且這一次Intel更有信心，因?yàn)槎啻に噷?shí)際上提前量產(chǎn)了，具體如下：Intel 4工藝是Intel第一個(gè)
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ASML：努力向中國(guó)提供一切能夠提供的技術(shù)

  • 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域，而其中核心的光刻機(jī)技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長(zhǎng)足的進(jìn)步，光刻機(jī)這種核心設(shè)備就要有所突破。而之前美國(guó)通過(guò)自身在全球市場(chǎng)的控制能力，通過(guò)修改法案等手段一直將光刻機(jī)設(shè)備和技術(shù)限制對(duì)中國(guó)進(jìn)行輸出。但近期光刻機(jī)頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會(huì)盡其所能向中國(guó)市場(chǎng)提供一切他們能夠提供的技術(shù)，其中DUV光刻機(jī)將會(huì)不需要認(rèn)可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機(jī)除此之外，ASML表示在當(dāng)前法律框架之下，他們除了EUV光刻機(jī)無(wú)法向中方企業(yè)提供，其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
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單臺(tái)1.5億美元 ASML制造新一代EUV光刻機(jī)

  • 據(jù)《連線(xiàn)》雜志報(bào)道，在美國(guó)康涅狄格州郊區(qū)的一間潔凈室中，ASML的工程師們正在為一臺(tái)單臺(tái)造價(jià)1.5億美元的新機(jī)器制造關(guān)鍵部件，該部件是新一代EUV系統(tǒng)的組成部分，會(huì)采用一些新技術(shù)來(lái)最大限度地減少其使用的光波長(zhǎng)，包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統(tǒng)組件（圖片來(lái)自ASML）      要知道，當(dāng)前的EUV機(jī)器已經(jīng)像一輛公共汽車(chē)那么大，包含10萬(wàn)個(gè)零部件和兩公里長(zhǎng)的電纜，運(yùn)輸這些組件需要40個(gè)貨運(yùn)集裝箱、三架貨機(jī)和20輛卡車(chē)，能夠買(mǎi)得起這種設(shè)備的公
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阿斯麥的新一代EUV光刻機(jī)：造價(jià)1.5億美元 公共汽車(chē)大小

  • 　　9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機(jī)每臺(tái)有公共汽車(chē)大小，造價(jià)1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來(lái)幾年繼續(xù)縮小?！　≡谖挥诿绹?guó)康涅狄格州郊區(qū)的一間大型潔凈室里，工程師們已經(jīng)開(kāi)始為一臺(tái)機(jī)器制造關(guān)鍵部件，這臺(tái)機(jī)器有望讓芯片制造行業(yè)沿著摩爾定律至少再走上10年時(shí)間?！　∵@臺(tái)極紫外光刻機(jī)是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺(tái)量產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)，在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，已經(jīng)被用于制造iPhone手機(jī)芯片以及人工智能處理器等最先進(jìn)的芯片。阿斯
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

  • 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪(fǎng)中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠(chǎng)生產(chǎn)，預(yù)
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EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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為什么ASML加速來(lái)華？

  • 芯片雖小，制造難度卻很大，而且芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備光刻機(jī)的缺乏，更是成為限制我國(guó)高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發(fā)酵，讓我國(guó)半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的問(wèn)題越加明顯，那就是在芯片制造的設(shè)備上，我國(guó)依然受制于人的問(wèn)題相當(dāng)嚴(yán)重。為什么ASML加速來(lái)華？北大教授的發(fā)聲很現(xiàn)實(shí)，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)突破在即雖然華為研發(fā)出基于5nm工藝的麒麟9000芯片，令一眾對(duì)手刮目相看，但是沒(méi)有臺(tái)積電為其代工生產(chǎn)，沒(méi)有屬于中國(guó)自己的高端光刻機(jī)，就等同于一張“紙老虎”。作為中國(guó)大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè)中芯國(guó)際，因?yàn)闆](méi)有高端光刻機(jī)，至今仍然沒(méi)
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三星有意在美國(guó)建5nm EUV芯片廠(chǎng) 巨額投資

  • 據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子已決定在美國(guó)得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的小型芯片需求和美國(guó)重振半導(dǎo)體計(jì)劃。該工廠(chǎng)將采用5nm制程，計(jì)劃于今年Q3開(kāi)工，2024年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)耗資180億美元，同時(shí)也是三星電子首次在韓國(guó)之外設(shè)立EUV產(chǎn)線(xiàn)。去年，臺(tái)積電去宣布將在美國(guó)建設(shè)芯片工廠(chǎng)，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片，目標(biāo)是2024年投產(chǎn)。最新消息稱(chēng)，臺(tái)積電管理層目前正在討論，他們?cè)诿绹?guó)的下一座芯片工廠(chǎng)，是否采用更先進(jìn)的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶(hù)代工芯片。
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阿斯麥已生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī) 70%賣(mài)給了臺(tái)積電

  • 　　本周一，外媒援引韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部一份有關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略文件報(bào)道稱(chēng)，光刻機(jī)制造商阿斯麥將投資2.12億美元，在京畿道華城建設(shè)極紫外光刻機(jī)再制造廠(chǎng)和培訓(xùn)中心。在報(bào)道阿斯麥將在華城建設(shè)極紫外光刻機(jī)再制造廠(chǎng)和培訓(xùn)中心時(shí)，外媒還提到，雖然三星電子、SK海力士已引進(jìn)了阿斯麥生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)，但他們獲得的數(shù)量同臺(tái)積電相比，有不小的差距?！　⊥饷皆趫?bào)道中提到，阿斯麥目前已生產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)，70%是賣(mài)給了臺(tái)積電，留給其他廠(chǎng)商的就只有30%?！　“⑺果?zhǔn)悄壳叭蛭ㄒ荒苤圃鞓O紫外光刻機(jī)的廠(chǎng)商，他們已推出了TWIN
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不用EUV光刻機(jī)就搞定類(lèi)7nm工藝？中芯國(guó)際回應(yīng)

  • 　　做為國(guó)內(nèi)最大也是最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司，中芯國(guó)際在先進(jìn)工藝上的進(jìn)展引人關(guān)注，其中7nm及以下節(jié)點(diǎn)非常重要，這還牽涉到EUV光刻機(jī)?！　∪涨坝泄擅裨诨?dòng)平臺(tái)上詢(xún)問(wèn)，稱(chēng)有報(bào)道指出中芯國(guó)際不用EUV光刻就攻克了類(lèi)7nm工藝，要求中芯國(guó)際澄清?！　?duì)此，中芯國(guó)際表示，公司不針對(duì)傳言進(jìn)行評(píng)論?！　闹行緡?guó)際官網(wǎng)的介紹來(lái)看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來(lái)的是N+1、N+2工藝，但沒(méi)有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)?！　≈行緡?guó)際聯(lián)合CEO趙海軍曾表示，經(jīng)過(guò)三年的積累，F(xiàn)inFET工藝已經(jīng)取得了不錯(cuò)的成績(jī)，N+1已經(jīng)
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里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

  • 藍(lán)色巨人出手就是王炸?！　?月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！　『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱(chēng)該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬(wàn)顆晶體管）為333.33，幾乎是臺(tái)積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺(tái)積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高?！　?nm晶圓近照　　換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管?！　⊥瑫r(shí)，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗?！　　　?shí)際上，I
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