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EUV光刻機開始“落幕”了
- 說到光刻機大家難免會想到三個廠商，荷蘭的ASML公司、尼康和佳能。而光刻機就是制造芯片的核心裝備?，F(xiàn)如今光刻機領(lǐng)域的核心地位就是荷蘭的ASML，他與臺積電合作，共同突破了沉浸式DUV光刻機，也正因為此動作，才奠定了ASML在光刻機領(lǐng)域的核心地位。后續(xù)ASML又推出了更加高端的EUV光刻機，而且還是獨家壟斷生產(chǎn)。這就進一步使得ASML成為行業(yè)的巨頭。隨著科技的不斷發(fā)展，市場就要越來越追求高性能以及高要求，ASLM造成的長時間壟斷，導(dǎo)致其他同行沒有辦法發(fā)展。在他自身無法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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三星首次采用韓國本土EUV光刻膠 打破日企壟斷
- 據(jù)報道，三星首次引入韓國本土公司東進世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進入其量產(chǎn)線，這也是三星進行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應(yīng)風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應(yīng)本土化，經(jīng)過三年的努力，韓國實現(xiàn)了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構(gòu)EUV光刻膠的供應(yīng)鏈之后，東進世美肯就已開始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應(yīng)用于三星的大規(guī)模生產(chǎn)線。不過，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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有多貴？ASML新EUV光刻機單臺硬件造價2500億：可買三臺頂級航母
- 都知道光刻機單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數(shù)億美元的光刻機讓我們看到了一款硬件設(shè)備的價格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時透露，他們正在全力研制劃時代的新光刻機high-NA EUV設(shè)備，而高NA EUV光刻機系統(tǒng)的單臺造價將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個價格什么概念，一搜頂級航母的價格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設(shè)備可以買三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機不過數(shù)億美元，作為下一代產(chǎn)品身價
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國廠商公布新專利
- 近日，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專利，專利申請?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點的推進，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
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美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關(guān)注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機
- 近期，全球半導(dǎo)體龍頭設(shè)備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財報，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤均超出市場預(yù)期，其新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀(jì)錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機；泛林方面，當(dāng)季公司營收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設(shè)備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機10月19日，光刻機大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營收同比增長10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預(yù)
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半導(dǎo)體廠倚重EUV 先進微影技術(shù)的強勁需求
- 微影設(shè)備業(yè)者ASML第一季已完成136臺極紫外光（EUV）曝光機出貨，累計超過7,000萬片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術(shù)推進，預(yù)期2025年之后新一代EUV曝光機每小時曝光產(chǎn)量可達220片以上，以因應(yīng)客戶端先進制程推進至埃米（Angstrom）世代對先進微影技術(shù)的強勁需求。雖然2023年半導(dǎo)體市況能見度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導(dǎo)體廠仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進會帶動光罩層數(shù)增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準(zhǔn)、意德士（等EUV概念股明年營運將
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泛林集團、Entegris 和 Gelest 攜手推進 EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)
- 泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對未來幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進行研發(fā)，這將有助于從機器學(xué)習(xí)和人工智能到移動設(shè)備所有這些技術(shù)的實現(xiàn)。? ? ? ? ? ? ?
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卡脖子也沒用 國內(nèi)廠商芯片新技術(shù)繞過EUV光刻機
- 毫無疑問，如今國內(nèi)芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機，不過EUV光刻機是研制先進芯片的一條路徑，但并非唯一解。 對于國內(nèi)廠商來說，當(dāng)前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因為不需要EUV機器，從而找到了技術(shù)追趕的機會。而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來自浙江海寧的芯盟則開辟出繞過EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構(gòu)問世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F2 DRA
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展：目標(biāo) 2024-2025 年進廠
- 5 月 29 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時間來準(zhǔn)備極紫外線 (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會比這更快。目前，最先進的芯片是 4/5 納米級工藝，下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來說，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來看，這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節(jié)點 (36 nm ~ 38 nm)
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨顯
- Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構(gòu)設(shè)計，今年的13代酷睿代號Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會大改，升級Intel 4工藝，也是Intel首個EUV工藝?！ ?4代酷睿的架構(gòu)也會大改，第一次采用非單一芯片設(shè)計，彈性集成多個小芯片模塊，包括下一代混合架構(gòu)CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！ ?4代酷睿Meteor Lake也會是Intel酷睿系列中首個大量使用3D Foveros混合封
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應(yīng)用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)
- 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運用極紫外光（EUV）持續(xù)進行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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